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HIP2100IBZ

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  • 功能描述
  • 功率驅(qū)動器IC HIP2100IBZVERSION 100V HALF BRDG DRVR
  • RoHS
  • 否
  • 制造商
  • Micrel
  • 產(chǎn)品
  • MOSFET Gate Drivers
  • 類型
  • Low Cost High or Low Side MOSFET Driver
  • 上升時間
  • 下降時間
  • 電源電壓-最大
  • 30 V
  • 電源電壓-最小
  • 2.75 V
  • 電源電流
  • 最大功率耗散
  • 最大工作溫度
  • + 85 C
  • 安裝風(fēng)格
  • SMD/SMT
  • 封裝 / 箱體
  • SOIC-8
  • 封裝
  • Tube
HIP2100IBZ 技術(shù)參數(shù)
  • HIP2100IBT 功能描述:功率驅(qū)動器IC TAPE AND REEL RoHS:否 制造商:Micrel 產(chǎn)品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時間: 下降時間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube HIP2100IB 功能描述:功率驅(qū)動器IC 100V H-BRDG DRVR RoHS:否 制造商:Micrel 產(chǎn)品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時間: 下降時間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube HIP2100EIBZT 功能描述:功率驅(qū)動器IC 100V H-BRDG DRVR 8LD EP RoHS:否 制造商:Micrel 產(chǎn)品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時間: 下降時間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube HIP2100EIBZ 功能描述:功率驅(qū)動器IC 100V H-BRDG DRVR 8LD EP RoHS:否 制造商:Micrel 產(chǎn)品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時間: 下降時間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube HIP2100EIBT 功能描述:IC DRIVER HALF BRIDGE 100V 8SOIC RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET，電橋驅(qū)動器 - 外部開關(guān) 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 系列:- 配置:低端 輸入類型:非反相 延遲時間:40ns 電流 - 峰:9A 配置數(shù):1 輸出數(shù):1 高端電壓 - 最大（自引導(dǎo)啟動）:- 電源電壓:4.5 V ~ 35 V 工作溫度:-40°C ~ 125°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-6，D²Pak（5 引線+接片），TO-263BA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-263 包裝:管件 HIP2100IRZT HIP2101EIB HIP2101EIBT HIP2101EIBZ HIP2101EIBZT HIP2101IB HIP2101IBT HIP2101IBZ HIP2101IBZT HIP2101IBZT7A HIP2101IR HIP2101IR4 HIP2101IR4T HIP2101IR4Z HIP2101IR4ZT HIP2101IRT HIP2101IRZ HIP2101IRZT
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