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IDT70825S20PF

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  • 型號(hào)
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠(chǎng)商
  • 封裝
  • 批號(hào)
  • 價(jià)格
  • 說(shuō)明
  • 操作
IDT70825S20PF PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實(shí)際PDF為準(zhǔn)
  • 功能描述
  • IC SARAM 128KBIT 20NS 80TQFP
  • RoHS
  • 否
  • 類(lèi)別
  • 集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器
  • 系列
  • -
  • 產(chǎn)品變化通告
  • Product Discontinuation 26/Apr/2010
  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝
  • 136
  • 系列
  • -
  • 格式 - 存儲(chǔ)器
  • RAM
  • 存儲(chǔ)器類(lèi)型
  • SRAM - 同步，DDR II
  • 存儲(chǔ)容量
  • 18M（1M x 18）
  • 速度
  • 200MHz
  • 接口
  • 并聯(lián)
  • 電源電壓
  • 1.7 V ~ 1.9 V
  • 工作溫度
  • 0°C ~ 70°C
  • 封裝/外殼
  • 165-TBGA
  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝
  • 165-CABGA（13x15）
  • 包裝
  • 托盤(pán)
  • 其它名稱(chēng)
  • 71P71804S200BQ
IDT70825S20PF 技術(shù)參數(shù)
  • IDT70825S20G 功能描述:IC SARAM 128KBIT 20NS 84PGA RoHS:否 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:136 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類(lèi)型:SRAM - 同步，DDR II 存儲(chǔ)容量:18M（1M x 18） 速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:165-CABGA（13x15） 包裝:托盤(pán) 其它名稱(chēng):71P71804S200BQ IDT70825L35PF8 功能描述:IC SARAM 128KBIT 35NS 80TQFP RoHS:否 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:136 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類(lèi)型:SRAM - 同步，DDR II 存儲(chǔ)容量:18M（1M x 18） 速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:165-CABGA（13x15） 包裝:托盤(pán) 其它名稱(chēng):71P71804S200BQ IDT70825L35PF 功能描述:IC SARAM 128KBIT 35NS 80TQFP RoHS:否 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:136 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類(lèi)型:SRAM - 同步，DDR II 存儲(chǔ)容量:18M（1M x 18） 速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:165-CABGA（13x15） 包裝:托盤(pán) 其它名稱(chēng):71P71804S200BQ IDT70825L35G 功能描述:IC SARAM 128KBIT 35NS 84PGA RoHS:否 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:136 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類(lèi)型:SRAM - 同步，DDR II 存儲(chǔ)容量:18M（1M x 18） 速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:165-CABGA（13x15） 包裝:托盤(pán) 其它名稱(chēng):71P71804S200BQ IDT70825L25PF8 功能描述:IC SARAM 128KBIT 25NS 80TQFP RoHS:否 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:136 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類(lèi)型:SRAM - 同步，DDR II 存儲(chǔ)容量:18M（1M x 18） 速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:165-CABGA（13x15） 包裝:托盤(pán) 其它名稱(chēng):71P71804S200BQ IDT709199L7PF IDT709199L7PF8 IDT709199L9PF IDT709199L9PF8 IDT709199L9PFI IDT709199L9PFI8 IDT709389L12PF IDT709389L12PF8 IDT709389L7PF IDT709389L7PF8 IDT709389L9PF IDT709389L9PF8 IDT709389L9PFI IDT709389L9PFI8 IDT70P27L12PFG IDT70P3307S233RM IDT70P3307S233RMI IDT70P3307S250RM
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