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IRF7103TR

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  • IRF7103TR
    IRF7103TR

    IRF7103TR

  • 甄芯網
    甄芯網

    聯系人:柯先生/趙小姐

    電話:0755-83665813

    地址:深圳市福田區深南中路3006號佳和大廈B座907 門市部:中航路都會電子3C002B

    資質:營業執照

  • 44000

  • IR

  • SOP-8

  • 4

  • -
  • 自家現貨庫存..82579179

  • IRF7103TRPBF
    IRF7103TRPBF

    IRF7103TRPBF

  • 深圳市鴻昌盛電子科技有限公司銷售一部
    深圳市鴻昌盛電子科技有限公司銷售一部

    聯系人:朱小姐

    電話:13428937514

    地址:深圳市福田區華強北路賽格廣場58樓5813

    資質:營業執照

  • 50000

  • IR

  • SOP8

  • 14+

  • -
  • 公司現貨庫存,全新原裝正品。假一罰十,可...

  • IRF7103TRPBF
    IRF7103TRPBF

    IRF7103TRPBF

  • 北京力通科信電子有限公司
    北京力通科信電子有限公司

    聯系人:韓小姐

    電話:13661385246

    地址:北京市海淀區知春路118號知春大廈B座1504室,新中發電子市場B1303-b1305柜臺

  • 200

  • INFINEON

  • SMD

  • 19+

  • -
  • 進口原裝公司現貨庫存

  • IRF7103TRPBF
    IRF7103TRPBF

    IRF7103TRPBF

  • 深圳市鵬威爾科技有限公司
    深圳市鵬威爾科技有限公司

    聯系人:胡慶偉

    電話:13138879988

    地址:深圳市寶安區新安街道翻身路117號 富源商貿中心D棟601

  • 16000

  • INF

  • ORIGONAL

  • 16+

  • -
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IRF7103TR PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
  • 制造商
  • International Rectifier
  • 功能描述
  • Trans MOSFET N-CH 50V 3A 8-Pin SOIC T/R
  • 制造商
  • Int'L Rectifier
  • 功能描述
  • Trans MOSFET N-CH 50V 3A 8-Pin SOIC T/R
IRF7103TR 技術參數
  • IRF640,127 功能描述:MOSFET N-CH 200V 16A TO220AB 制造商:nxp semiconductors 系列:TrenchMOS?? 包裝:管件 零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):16A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):180 毫歐 @ 8A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):63nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):1850pF @ 25V 功率 - 最大值:136W 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220AB 標準包裝:50 IRF640 功能描述:MOSFET N-CH 200V 18A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:MESH OVERLAY?? 包裝:管件 零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):18A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):180 毫歐 @ 9A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):72nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):1560pF @ 25V 功率 - 最大值:125W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220AB 標準包裝:50 IRF630FP 功能描述:MOSFET N-CH 200V 9A TO-220FP 制造商:stmicroelectronics 系列:MESH OVERLAY? II 包裝:管件 零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):9A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):400 毫歐 @ 4.5A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):45nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):700pF @ 25V 功率 - 最大值:30W 工作溫度:-65°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商器件封裝:TO-220FP 標準包裝:50 IRF630 功能描述:MOSFET N-CH 200V 9A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:MESH OVERLAY? II 包裝:管件 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):9A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):400 毫歐 @ 4.5A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):45nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):700pF @ 25V 功率 - 最大值:75W 工作溫度:-65°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220AB 標準包裝:50 IRF620 功能描述:MOSFET N-CH 200V 6A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:PowerMESH? II 包裝:管件 零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):6A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):800 毫歐 @ 3A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):27nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):350pF @ 25V 功率 - 最大值:70W 工作溫度:-65°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220AB 標準包裝:1,000 IRF710S IRF710SPBF IRF710STRL IRF710STRLPBF IRF710STRR IRF7171MTRPBF IRF720 IRF7201 IRF7201PBF IRF7201TR IRF7201TRPBF IRF7202TR IRF7203TR IRF7204 IRF7204PBF IRF7204TR IRF7204TRPBF IRF7205PBF
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