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IXTH6N120

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功能描述
MOSFET 6 Amps 1200V 2.700 Rds
RoHS
否
制造商
STMicroelectronics
晶體管極性
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓
650 V
閘/源擊穿電壓
25 V
漏極連續(xù)電流
130 A
電阻汲極/源極 RDS（導通）
0.014 Ohms
配置
Single
最大工作溫度
安裝風格
Through Hole
封裝 / 箱體
Max247
封裝
Tube

IXTH6N120 技術(shù)參數(shù)

IXS839S1T/R 功能描述:功率驅(qū)動器IC 2 / 4 Amps 30V 2.2 / 1.2 Ohm Rds RoHS:否制造商:Micrel 產(chǎn)品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時間: 下降時間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube IXS839S1 功能描述:功率驅(qū)動器IC 2 / 4 Amps 30V 2.2 / 1.2 Ohm Rds RoHS:否制造商:Micrel 產(chǎn)品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時間: 下降時間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube IXS839BQ2T/R 功能描述:功率驅(qū)動器IC 2 / 4 Amps 30V 2.2 / 1.2 Ohm Rds RoHS:否制造商:Micrel 產(chǎn)品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時間: 下降時間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube IXS839BQ2 功能描述:功率驅(qū)動器IC 2 / 4 Amps 30V 2.2 / 1.2 Ohm Rds RoHS:否制造商:Micrel 產(chǎn)品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時間: 下降時間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube IXS839AQ2T/R 功能描述:功率驅(qū)動器IC 2 / 4 Amps 30V 2.2 / 1.2 Ohm Rds RoHS:否制造商:Micrel 產(chǎn)品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時間: 下降時間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube IXTH75N10 IXTH75N10L2 IXTH75N15 IXTH76N25T IXTH76P10T IXTH7P50 IXTH80N075L2 IXTH80N20L IXTH80N65X2 IXTH86N20T IXTH88N15 IXTH88N30P IXTH8P50 IXTH90N15T IXTH90P10P IXTH96N20P IXTH96N25T IXTH96P085T