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JS28F512P30EF

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  • 制造商
  • MICRON
  • 制造商全稱
  • Micron Technology
  • 功能描述
  • Micron Parallel NOR Flash Embedded Memory (P30-65nm)
JS28F512P30EF 技術(shù)參數(shù)
  • JS28F512P30BFA 功能描述:IC FLASH 512MBIT P30 65NM 56TSOP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:Axcell™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 異步 存儲容量:16M（2M x 8，1M x 16） 速度:45ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.2 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-VFBGA（6x8） 包裝:帶卷 (TR) JS28F512M29EWLD 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:512MB, GL TSOP 3.0 LF - Trays 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:IC FLASH 512MBIT 110NS 56TSOP JS28F512M29EWLB TR 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:IC FLASH 512MBIT 110NS 56TSOP JS28F512M29EWLA 功能描述:IC FLASH 512MBIT M29EW 56TSOP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:Axcell™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 異步 存儲容量:16M（2M x 8，1M x 16） 速度:45ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.2 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-VFBGA（6x8） 包裝:帶卷 (TR) JS28F512M29EWL0 功能描述:IC FLASH 512MBIT 110NS 56TSOP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:Axcell™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:576 系列:- 格式 - 存儲器:閃存 存儲器類型:閃存 - NAND 存儲容量:512M（64M x 8） 速度:- 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-TSOP 包裝:托盤 其它名稱:497-5040 JS28F640J3D75B TR JS28F640J3D75D JS28F640J3D75D TR JS28F640J3D75E JS28F640J3F75A JS28F640J3F75B JS28F640J3F75B TR JS28F640J3F75D TR JS28F640J3F75E JS28F640J3F75G JS28F640P30B85A JS28F640P30BF75A JS28F640P30BF75D JS28F640P30T85A JS28F640P30TF75A JS28F640P33B85A JS28F640P33BF70A JS28F640P33T85A
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