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LTC1257CS

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LTC1257CS 技術參數

LTC1257CN8#PBF 功能描述:IC D/A CONV 12BIT VOLT OUT 8-DIP RoHS:是類別:集成電路 (IC) >> 數據采集 - 數模轉換器系列:- 產品培訓模塊:Lead (SnPb) Finish for COTS Obsolescence Mitigation Program 標準包裝:50 系列:- 設置時間:4µs 位數:12 數據接口:串行轉換器數目:2 電壓電源:單電源功率耗散（最大）:- 工作溫度:-40°C ~ 85°C 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 寬）供應商設備封裝:8-uMAX 包裝:管件輸出數目和類型:2 電壓，單極采樣率（每秒）:* 產品目錄頁面:1398 (CN2011-ZH PDF) LTC1255IS8#TRPBF 功能描述:IC MOSFET DVR HI-SIDE DUAL 8SOIC RoHS:是類別:集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET，電橋驅動器 - 外部開關系列:- 標準包裝:5 系列:- 配置:低端輸入類型:非反相延遲時間:600ns 電流 - 峰:12A 配置數:1 輸出數:1 高端電壓 - 最大（自引導啟動）:- 電源電壓:14.2 V ~ 15.8 V 工作溫度:-20°C ~ 60°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:21-SIP 模塊供應商設備封裝:模塊包裝:散裝配用:BG2A-NF-ND - KIT DEV BOARD FOR IGBT 其它名稱:835-1063 LTC1255IS8#PBF 功能描述:IC MOSFET DVR HI-SIDE DUAL 8SOIC RoHS:是類別:集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET，電橋驅動器 - 外部開關系列:- 標準包裝:5 系列:- 配置:低端輸入類型:非反相延遲時間:600ns 電流 - 峰:12A 配置數:1 輸出數:1 高端電壓 - 最大（自引導啟動）:- 電源電壓:14.2 V ~ 15.8 V 工作溫度:-20°C ~ 60°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:21-SIP 模塊供應商設備封裝:模塊包裝:散裝配用:BG2A-NF-ND - KIT DEV BOARD FOR IGBT 其它名稱:835-1063 LTC1255IN8#PBF 功能描述:IC MOSFET DVR HI-SIDE DUAL 8-DIP RoHS:是類別:集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET，電橋驅動器 - 外部開關系列:- 標準包裝:50 系列:- 配置:高端輸入類型:非反相延遲時間:200ns 電流 - 峰:250mA 配置數:1 輸出數:1 高端電壓 - 最大（自引導啟動）:600V 電源電壓:12 V ~ 20 V 工作溫度:-40°C ~ 125°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:8-DIP（0.300"，7.62mm）供應商設備封裝:8-DIP 包裝:管件其它名稱:*IR2127 LTC1255CS8#TRPBF 功能描述:IC MOSFET DVR HI-SIDE DUAL 8SOIC RoHS:是類別:集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET，電橋驅動器 - 外部開關系列:- 標準包裝:5 系列:- 配置:低端輸入類型:非反相延遲時間:600ns 電流 - 峰:12A 配置數:1 輸出數:1 高端電壓 - 最大（自引導啟動）:- 電源電壓:14.2 V ~ 15.8 V 工作溫度:-20°C ~ 60°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:21-SIP 模塊供應商設備封裝:模塊包裝:散裝配用:BG2A-NF-ND - KIT DEV BOARD FOR IGBT 其它名稱:835-1063 LTC1258CMS8-3#TRPBF LTC1258CMS8-4.1#PBF LTC1258CMS8-4.1#TRPBF LTC1258CMS8-5#PBF LTC1258CMS8-5#TRPBF LTC1258CS8#PBF LTC1258CS8#TRPBF LTC1258CS8-2.5#PBF LTC1258CS8-2.5#TRPBF LTC1258CS8-3#PBF LTC1258CS8-3#TRPBF LTC1258CS8-4.1#PBF LTC1258CS8-4.1#TRPBF LTC1258CS8-5#PBF LTC1258CS8-5#TRPBF LTC1261CS#PBF LTC1261CS#TRPBF LTC1261CS8#PBF