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MJD32CR

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MJD32CR 技術參數
  • MJD32CQ-13 功能描述:TRANS PNP 100V 3A TO252-3L 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:在售 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極(Ic)(最大值):3A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):100V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):1.2V @ 375mA,3A 電流 - 集電極截止(最大值):1μA 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):10 @ 3A,4V 功率 - 最大值:15W 頻率 - 躍遷:3MHz 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63 供應商器件封裝:TO-252 標準包裝:1 MJD31CT4-A 功能描述:TRANS NPN 100V 3A DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):3A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):100V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):1.2V @ 375mA,3A 電流 - 集電極截止(最大值):50μA 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):10 @ 3A,4V 功率 - 最大值:15W 頻率 - 躍遷:- 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63 供應商器件封裝:D-Pak 標準包裝:1 MJD31CT4 功能描述:TRANS NPN 100V 3A DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):3A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):100V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):1.2V @ 375mA,3A 電流 - 集電極截止(最大值):50μA 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):10 @ 3A,4V 功率 - 最大值:15W 頻率 - 躍遷:- 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63 供應商器件封裝:D-Pak 標準包裝:1 MJD3055T4 功能描述:TRANS NPN 60V 10A DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):10A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):60V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):8V @ 3.3A,10A 電流 - 集電極截止(最大值):50μA 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):20 @ 4A,4V 功率 - 最大值:20W 頻率 - 躍遷:2MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63 供應商器件封裝:D-Pak 標準包裝:1 MJD2955T4 功能描述:TRANS PNP 60V 10A DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:過期 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極(Ic)(最大值):10A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):60V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):8V @ 3.3A,10A 電流 - 集電極截止(最大值):50μA 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):20 @ 4A,4V 功率 - 最大值:20W 頻率 - 躍遷:2MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63 供應商器件封裝:D-Pak 標準包裝:1 MJD32CUQ-13 MJD32RLG MJD32T4G MJD340 MJD340-13 MJD340G MJD340RLG MJD340T4 MJD340T4G MJD340TF MJD350-13 MJD350G MJD350T4 MJD350T4G MJD350TF MJD361T4-A MJD41CRLG MJD41CT4
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