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PD55035

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功能描述
射頻MOSFET電源晶體管 N-Ch 40 Volt 7.0 Amp
RoHS
否
制造商
Freescale Semiconductor
配置
Single
晶體管極性
頻率
1800 MHz to 2000 MHz
增益
27 dB
輸出功率
100 W
汲極/源極擊穿電壓
漏極連續電流
閘/源擊穿電壓
最大工作溫度
封裝 / 箱體
NI-780-4
封裝
Tray

PD55035 技術參數

PD55025TR-E 功能描述:TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效晶體管類型:LDMOS 頻率:500MHz 增益:14.5dB 電壓 - 測試:12.5V 額定電流:7A 噪聲系數:- 電流 - 測試:200mA 功率 - 輸出:25W 電壓 - 額定:40V 封裝/外殼:PowerSO-10RF 裸露底部焊盤（2 條成形引線）供應商器件封裝:PowerSO-10RF（成形引線）標準包裝:1 PD55025S-E 功能描述:FET RF 40V 500MHZ PWRSO10 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:管件零件狀態:有效晶體管類型:LDMOS 頻率:500MHz 增益:14.5dB 電壓 - 測試:12.5V 額定電流:7A 噪聲系數:- 電流 - 測試:200mA 功率 - 輸出:25W 電壓 - 額定:40V 封裝/外殼:PowerSO-10 裸露底部焊盤供應商器件封裝:PowerSO-10RF（直引線）標準包裝:50 PD55025-E 功能描述:FET RF 40V 500MHZ PWRSO10 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:管件零件狀態:有效晶體管類型:LDMOS 頻率:500MHz 增益:14.5dB 電壓 - 測試:12.5V 額定電流:7A 噪聲系數:- 電流 - 測試:200mA 功率 - 輸出:25W 電壓 - 額定:40V 封裝/外殼:PowerSO-10 裸露底部焊盤供應商器件封裝:10-PowerSO 標準包裝:50 PD55015TR-E 功能描述:TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效晶體管類型:LDMOS 頻率:500MHz 增益:14dB 電壓 - 測試:12.5V 額定電流:5A 噪聲系數:- 電流 - 測試:150mA 功率 - 輸出:15W 電壓 - 額定:40V 封裝/外殼:PowerSO-10RF 裸露底部焊盤（2 條成形引線）供應商器件封裝:PowerSO-10RF（成形引線）標準包裝:1 PD55015S-E 功能描述:FET RF 40V 500MHZ PWRSO-10 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:管件零件狀態:有效晶體管類型:LDMOS 頻率:500MHz 增益:14dB 電壓 - 測試:12.5V 額定電流:5A 噪聲系數:- 電流 - 測試:150mA 功率 - 輸出:15W 電壓 - 額定:40V 封裝/外殼:PowerSO-10 裸露底部焊盤供應商器件封裝:PowerSO-10RF（直引線）標準包裝:50 PD57006STR-E PD57006TR-E PD57018 PD57018-E PD57018S PD57018S-E PD57018STR-E PD57018TR-E PD57030 PD57030-E PD57030S PD57030S-E PD57045-E PD57045S PD57045S-E PD57045TR-E PD57060-E PD57060S-E