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STB6NK90Z

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STB6NK90Z PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
  • 制造商
  • STMICROELECTRONICS
  • 制造商全稱
  • STMicroelectronics
  • 功能描述
  • N-channel 900V - 1.56Ω - 5.8A - TO-220/TO-220FP/D2PAK/TO-247 Zener-protected SuperMESH? Power MOSFET
STB6NK90Z 技術參數
  • STB6NK60ZT4 功能描述:MOSFET N-CH 600V 6A D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):600V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):6A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):1.2 歐姆 @ 3A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 100μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):46nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):905pF @ 25V 功率 - 最大值:110W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3,D2Pak(2 引線+接片),TO-263AB 供應商器件封裝:D2PAK 標準包裝:1 STB6NK60Z-1 功能描述:MOSFET N-CH 600V 6A I2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH?? 包裝:管件 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):600V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):6A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):1.2 歐姆 @ 3A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 100μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):46nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):905pF @ 25V 功率 - 最大值:110W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-262-3,長引線,I2Pak,TO-262AA 供應商器件封裝:I2PAK 標準包裝:50 STB6N80K5 功能描述:MOSFET N-CH 800V 4.5A D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH5?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):800V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):4.5A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):1.6 歐姆 @ 2A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):5V @ 100μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):7.5nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):255pF @ 100V 功率 - 最大值:85W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3,D2Pak(2 引線+接片),TO-263AB 供應商器件封裝:D2PAK 標準包裝:1 STB6N65M2 功能描述:MOSFET N-CH 650V 4A D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):650V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):4A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):1.35 歐姆 @ 2A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):9.8nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):226pF @ 100V 功率 - 最大值:60W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3,D2Pak(2 引線+接片),TO-263AB 供應商器件封裝:D2PAK 標準包裝:1 STB6N60M2 功能描述:MOSFET N-CH 600V D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? II Plus 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):600V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):4.5A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):1.2 歐姆 @ 2.25A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):8nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):232pF @ 100V 功率 - 最大值:60W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3,D2Pak(2 引線+接片),TO-263AB 供應商器件封裝:D2PAK 標準包裝:1 STB75NF20 STB75NF75LT4 STB75NF75T4 STB75NH02LT4 STB76NF75 STB76NF80 STB78NF55-08 STB7ANM60N STB7N52K3 STB7NK80Z-1 STB7NK80ZT4 STB80N20M5 STB80N4F6AG STB80NE03L-06T4 STB80NF03L-04-1 STB80NF03L-04T4 STB80NF10T4 STB80NF55-06-1
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