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STGD6NC60HDT4

配單專家企業名單
  • 型號
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  • 數量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號
  • 價格
  • 說明
  • 操作
STGD6NC60HDT4 PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
  • 功能描述
  • IGBT 晶體管 PowerMESH" IGBT
  • RoHS
  • 制造商
  • Fairchild Semiconductor
  • 配置
  • 集電極—發射極最大電壓 VCEO
  • 650 V
  • 集電極—射極飽和電壓
  • 2.3 V
  • 柵極/發射極最大電壓
  • 20 V
  • 在25 C的連續集電極電流
  • 150 A
  • 柵極—射極漏泄電流
  • 400 nA
  • 功率耗散
  • 187 W
  • 最大工作溫度
  • 封裝 / 箱體
  • TO-247
  • 封裝
  • Tube
STGD6NC60HDT4 技術參數
  • STGD6NC60H-1 功能描述:IGBT N-CH 600V 7A IPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:PowerMESH?? 包裝:管件 零件狀態:有效 IGBT 類型:- 電壓 - 集射極擊穿(最大值):600V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):15A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):21A 不同?Vge,Ic 時的?Vce(on):2.5V @ 15V,3A 功率 - 最大值:62.5W 開關能量:20μJ(開),68μJ(關) 輸入類型:標準 柵極電荷:13.6nC 25°C 時 Td(開/關)值:12ns/76ns 測試條件:390V,3A,10 歐姆,15V 反向恢復時間(trr):- 封裝/外殼:TO-251-3 短引線,IPak,TO-251AA 安裝類型:通孔 供應商器件封裝:IPAK(TO-251) 標準包裝:75 STGD6M65DF2 功能描述:IGBT Trench Field Stop 650V 12A 88W Surface Mount DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:M 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:在售 IGBT 類型:溝槽型場截止 電壓 - 集射極擊穿(最大值):650V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):12A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):24A 不同?Vge,Ic 時的?Vce(on):2V @ 15V,6A 功率 - 最大值:88W 開關能量:36μJ(開),200μJ(關) 輸入類型:標準 柵極電荷:21.2nC 25°C 時 Td(開/關)值:15ns/90ns 測試條件:400V,6A,22 歐姆,15V 反向恢復時間(trr):140ns 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63 供應商器件封裝:DPAK 標準包裝:1 STGD5NB120SZT4 功能描述:IGBT 1200V 10A 75W DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:PowerMESH?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 IGBT 類型:- 電壓 - 集射極擊穿(最大值):1200V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):10A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):10A 不同?Vge,Ic 時的?Vce(on):2V @ 15V,5A 功率 - 最大值:75W 開關能量:2.59mJ(開),9mJ(關) 輸入類型:標準 柵極電荷:- 25°C 時 Td(開/關)值:690ns/12.1μs 測試條件:960V,5A,1 千歐,15V 反向恢復時間(trr):- 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:D-Pak 標準包裝:1 STGD5NB120SZ-1 功能描述:IGBT 1200V 10A 75W IPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:PowerMESH?? 包裝:管件 零件狀態:有效 IGBT 類型:- 電壓 - 集射極擊穿(最大值):1200V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):10A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):10A 不同?Vge,Ic 時的?Vce(on):2V @ 15V,5A 功率 - 最大值:75W 開關能量:2.59mJ(開),9mJ(關) 輸入類型:標準 柵極電荷:- 25°C 時 Td(開/關)值:690ns/12.1μs 測試條件:960V,5A,1 千歐,15V 反向恢復時間(trr):- 封裝/外殼:TO-251-3 短引線,IPak,TO-251AA 安裝類型:通孔 供應商器件封裝:I-Pak 標準包裝:75 STGD5H60DF 功能描述:TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, H S 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 IGBT 類型:溝槽型場截止 電壓 - 集射極擊穿(最大值):600V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):10A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):20A 不同?Vge,Ic 時的?Vce(on):1.95V @ 15V,5A 功率 - 最大值:83W 開關能量:56μJ(開),78.5μJ(關) 輸入類型:標準 柵極電荷:43nC 25°C 時 Td(開/關)值:30ns/140ns 測試條件:400V,5A,47 歐姆,15V 反向恢復時間(trr):134.5ns 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:DPAK 標準包裝:1 STGDL6NC60DT4 STGE200N60K STGE200NB60S STGE50NB60HD STGE50NC60VD STGE50NC60WD STGF10H60DF STGF10M65DF2 STGF10NB60SD STGF10NC60HD STGF10NC60KD STGF10NC60SD STGF12NB60KD STGF14N60D STGF14NC60KD STGF15H60DF STGF15M65DF2 STGF17NC60SD
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