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STN724

配單專家企業名單
  • 型號
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  • 廠商
  • 封裝
  • 批號
  • 價格
  • 說明
  • 操作
STN724 PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
  • 功能描述
  • 兩極晶體管 - BJT NPN TRANSISTOR
  • RoHS
  • 制造商
  • STMicroelectronics
  • 配置
  • 晶體管極性
  • PNP
  • 集電極—基極電壓 VCBO
  • 集電極—發射極最大電壓 VCEO
  • - 40 V
  • 發射極 - 基極電壓 VEBO
  • - 6 V
  • 集電極—射極飽和電壓
  • 最大直流電集電極電流
  • 增益帶寬產品fT
  • 直流集電極/Base Gain hfe Min
  • 100 A
  • 最大工作溫度
  • 安裝風格
  • SMD/SMT
  • 封裝 / 箱體
  • PowerFLAT 2 x 2
STN724 技術參數
  • STN715 功能描述:TRANS NPN 80V 1.5A SOT-223 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:過期 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):1.5A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):80V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):500mV @ 100mA,1A 電流 - 集電極截止(最大值):1mA 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):40 @ 1A,2V 功率 - 最大值:1.6W 頻率 - 躍遷:50MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-261-4,TO-261AA 供應商器件封裝:SOT-223 標準包裝:1 STN690A 功能描述:TRANS NPN 30V 3A SOT223 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:過期 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):3A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):30V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):400mV @ 100mA,3A 電流 - 集電極截止(最大值):10μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):100 @ 500mA,2V 功率 - 最大值:1.6W 頻率 - 躍遷:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-261-4,TO-261AA 供應商器件封裝:SOT-223 標準包裝:1 STN5PF02V 功能描述:MOSFET P-CH 20V 4.2A SOT223 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? II 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極,2.5V 驅動 漏源極電壓(Vdss):20V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):4.2A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):80 毫歐 @ 2.1A,4.5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):450mV @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):6nC @ 2.5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):412pF @ 15V 功率 - 最大值:2.5W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-261-4,TO-261AA 供應商器件封裝:SOT-223 標準包裝:1 STN4NF20L 功能描述:MOSFET N-CH 200V 1A SOT-223 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? II 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):1A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):1.5 歐姆 @ 500mA,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):3V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):0.9nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):150pF @ 25V 功率 - 最大值:3.3W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-261-4,TO-261AA 供應商器件封裝:SOT-223 標準包裝:1 STN4NF06L 功能描述:MOSFET N-CH 60V 4A SOT-223 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? II 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):60V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):4A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):100 毫歐 @ 1.5A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.8V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):9nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):340pF @ 25V 功率 - 最大值:3.3W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-261-4,TO-261AA 供應商器件封裝:SOT-223 標準包裝:1 STN93003 STN9360 STN951 STNRG288A STNRG288ATR STNRG328A STNRG328ATR STNRG388A STNRG388ATR STNRGPF01 STNRGPF01TR STNS01PUR STO-01-187N STO-41T-187N STOD02PUR STOD02TPUR STOD03ASTPUR STOD03ATPUR
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