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STTH8R06D^STMICRO-CSP1

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STTH8R06D^STMICRO-CSP1 PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

STTH8R06D^STMICRO-CSP1 技術參數

STTH8R06D 功能描述:DIODE GEN PURP 600V 8A TO220AC 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:管件零件狀態:有效二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:600V 電流 - 平均整流（Io）:8A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:2.9V @ 8A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:45ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:30μA @ 600V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-2 供應商器件封裝:TO-220AC 工作溫度 - 結:175°C（最大）標準包裝:50 STTH8R04G-TR 功能描述:DIODE GEN PURP 400V 8A D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:400V 電流 - 平均整流（Io）:8A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.5V @ 8A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:50ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 400V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 供應商器件封裝:D2PAK 工作溫度 - 結:-40°C ~ 175°C 標準包裝:1 STTH8R04DI 功能描述:DIODE GEN PURP 400V 8A TO220AC 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:管件零件狀態:有效二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:400V 電流 - 平均整流（Io）:8A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.5V @ 8A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:50ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 400V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-2 絕緣，TO-220AC 供應商器件封裝:TO-220AC ins 工作溫度 - 結:-40°C ~ 175°C 標準包裝:50 STTH8R04D 功能描述:DIODE GEN PURP 400V 8A TO220AC 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:管件零件狀態:有效二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:400V 電流 - 平均整流（Io）:8A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.5V @ 8A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:50ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 400V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-2 供應商器件封裝:TO-220AC 工作溫度 - 結:-40°C ~ 175°C 標準包裝:50 STTH8R03DJF-TR 功能描述:DIODE GEN PURP 300V 8A POWERFLAT 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:300V 電流 - 平均整流（Io）:8A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.3V @ 8A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:50ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:40μA @ 300V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerVDFN 供應商器件封裝:PowerFlat?（5x6）工作溫度 - 結:175°C（最大）標準包裝:1 STTH8ST06DI STTH8T06DI STTH9012TV1 STTH9012TV2 ST-TMH-S-C1B-100-(A534G) ST-TMH-S-C1B-3500-(A534G) STTS2002B2DN3F STTS2004B2DN3F STTS3000B2DN3F STTS424BDN3F STTS424E02BDN3F STTS751-0DP3F STTS751-0WB3F STTS751-1DP3F STTS75DS2F STTS75M2E STTS75M2F STU10(PA)