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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | IDB30E120 |
| 廠商： | INFINEON TECHNOLOGIES AG |
| 英文描述： | Fast Switching EmCon Diode |
| 中文描述： | 快速開(kāi)關(guān)快恢復(fù)二極管 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 1/9頁(yè) |
| 文件大小： | 211K |
| 代理商： | IDB30E120 |
2001-12-12
Page 1
IDP30E120
IDB30E120
Preliminary data
Fast Switching EmCon
Feature
Diode
Product Summary
V
RRM
I
F
V
F
T
jmax
1200
V
30
A
1.65
V
150
°C
1200 V EmCon technology
Fast recovery
Soft switching
Low reverse recovery charge
Low forward voltage
Easy paralleling
P-TO220-3.SMD
P-TO220-2-2.
Pin 1
C
PIN 2
A
PIN 3
-
NC
C
A
Marking
D30E120
D30E120
Type
IDP30E120
Package
P-TO220-2-2.
Ordering Code
Q67040-S4390
IDB30E120
P-TO220-3.SMD Q67040-S4383
Maximum Ratings
,at
T
j
= 25 °C, unless otherwise specified
Parameter
Repetitive peak reverse voltage
Symbol
V
RRM
I
F
Value
Unit
1200
V
Continous forward current
T
C
=25°C
T
C
=90°C
Surge non repetitive forward current
50
30
A
T
C
=25°C,
t
p
=10 ms, sine halfwave
Maximum repetitive forward current
I
FSM
102
T
C
=25°C,
t
p
limited by
T
jmax
,
D
=0.5
Power dissipation
I
FRM
76.5
T
C
=25°C
T
C
=90°C
P
tot
138
66
W
Operating and storage temperature
Soldering temperature
1.6mm(0.063 in.) from case for 10s
T
j ,
T
stg
T
S
-55...+150
260
°C
°C
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IDC04S60C | 2nd generation thinQ! SiC Schottky Diode |
| IDC05S60C | 2nd generation thinQ! SiC Schottky Diode |
| IDC06S60C | 2nd generation thinQ! SiC Schottky Diode |
| IDC08S60C | 2nd generation thinQ! SiC Schottky Diode |
| IDD04E120 | Fast Switching EmCon Diode |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IDB30E120_07 | 制造商:INFINEON 制造商全稱(chēng):Infineon Technologies AG 功能描述:Fast Switching EmCon Diode |
| IDB30E120ATMA1 | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Diode Switching 1.2KV 50A 3-Pin(2+Tab) TO-263 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:IGBT PRODUCTS - Tape and Reel 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:DIODE SWITCH 1.2KV 50A TO263-3 |
| IDB30E60 | 功能描述:二極管 - 通用，功率，開(kāi)關(guān) FAST SWITCH EMCON DIODE 600V 30A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 產(chǎn)品:Switching Diodes 峰值反向電壓:600 V 正向連續(xù)電流:200 A 最大浪涌電流:800 A 配置: 恢復(fù)時(shí)間:2000 ns 正向電壓下降:1.25 V 最大反向漏泄電流:300 uA 最大功率耗散: 工作溫度范圍: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:ISOTOP 封裝:Tube |
| IDB30E60_07 | 制造商:INFINEON 制造商全稱(chēng):Infineon Technologies AG 功能描述:Fast Switching EmCon Diode |
| IDB30E60ATMA1 | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Diode Switching 600V 52.3A 3-Pin(2+Tab) TO-263 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:IGBT PRODUCTS - Tape and Reel 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:DIODE SWTCH 600V 52.3A TO263-3 |
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