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參數資料
| 型號： | IDD09E60 |
| 廠商： | INFINEON TECHNOLOGIES AG |
| 英文描述： | Fast Switching EmCon Diode |
| 中文描述： | 快速開關快恢復二極管 |
| 文件頁數： | 1/8頁 |
| 文件大小： | 184K |
| 代理商： | IDD09E60 |
2003-07-31
Rev.2
Page 1
IDD09E60
Fast Switching EmCon
Diode
Feature
600 V EmCon
technology
Fast recovery
Soft switching
Low reverse recovery charge
Low forward voltage
175°C operating temperature
Easy paralleling
Product Summary
V
RRM
I
F
V
F
T
jmax
600
V
9
A
1.5
V
175
°C
Pin 1
NC
PIN 2
C
PIN 3
A
Marking
D09E60
Type
Package
Ordering Code
Q67040-S4379
IDD09E60
P-TO252-3-1
Maximum Ratings
, at
T
j
= 25 °C, unless otherwise specified
Parameter
Symbol
Value
Unit
Repetitive peak reverse voltage
V
RRM
I
F
600
V
Continous forward current
T
C
=25°C
T
C
=90°C
Surge non repetitive forward current
19.3
13
A
T
C
=25°C,
t
p
=10 ms, sine halfwave
Maximum repetitive forward current
I
FSM
40
T
C
=25°C,
t
p
limited by
T
jmax
,
D
=0.5
Power dissipation
I
FRM
29.5
T
C
=25°C
T
C
=90°C
Operating and storage temperature
Soldering temperature
for 10s (according to JEDEC J-STD-020A)
P
tot
57.7
32.7
W
T
j ,
T
stg
T
S
-55...+175
255
°C
°C
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IDT04S60C | 2nd Generation thinQ! SiC Schottky Diode |
| IDT05S60C | 2nd Generation thinQ! SiC Schottky Diode |
| IDT06S60C | 2nd generation thinQ! SiC Schottky Diode |
| IDT08S60C | 2nd Generation thinQ! SiC Schottky Diode |
| IDT12S60C | 2nd Generation thinQ! SiC Schottky Diode |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
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| IDD-09P-TG30 | 制造商:RN 功能描述:_ |
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