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參數資料
| 型號： | IDT6116LA35L24 |
| 英文描述： | x8 SRAM |
| 中文描述： | x8的SRAM |
| 文件頁數： | 1/8頁 |
| 文件大小： | 568K |
| 代理商： | IDT6116LA35L24 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IDT6116LA35L24B | x8 SRAM |
| IDT6116LA45L24 | x8 SRAM |
| IDT6116LA45L24B | x8 SRAM |
| IDT6116LA55L24B | x8 SRAM |
| IDT6116LA70L24B | 200V Single N-Channel Digital Audio HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| IDT6116LA35L24B | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x8 SRAM |
| IDT6116LA35P | 制造商:IDT 制造商全稱:Integrated Device Technology 功能描述:CMOS STATIC RAM 16K (2K x 8 BIT) |
| IDT6116LA35PB | 制造商:IDT 制造商全稱:Integrated Device Technology 功能描述:CMOS STATIC RAM 16K (2K x 8 BIT) |
| IDT6116LA35PI | 制造商:IDT 制造商全稱:Integrated Device Technology 功能描述:CMOS STATIC RAM 16K (2K x 8 BIT) |
| IDT6116LA35SO | 功能描述:IC SRAM 16KBIT 35NS 24SOIC RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 產品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標準包裝:136 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步，DDR II 存儲容量:18M（1M x 18） 速度:200MHz 接口:并聯 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應商設備封裝:165-CABGA（13x15） 包裝:托盤 其它名稱:71P71804S200BQ |
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