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參數資料
| 型號： | IDT707278L15PFI |
| 廠商： | INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | Low-Noise JFET-Input Operational Amplifier 8-SOIC 0 to 70 |
| 中文描述： | 32K X 16 DUAL-PORT SRAM, 15 ns, PQFP100 |
| 封裝： | 14 X 14 MM, 1.40 MM HEIGHT, TQFP-100 |
| 文件頁數： | 1/16頁 |
| 文件大小： | 135K |
| 代理商： | IDT707278L15PFI |
2000 Integrated Device Technology, Inc.
DSC 3739/6
1
8Kx16
MEMORY
ARRAY
(BANK 3)
MUX
MUX
R/
W
L
CE
0L
CE
1L
UB
L
LB
L
OE
L
I/O
8L-15L
I/O
0L-7L
A
12L
A
0L(1)
A
5L(1)
A
0L(1)
LB
L
/
UB
L
OE
L
R/
W
L
CE
L
MAILBOX
INTERRUPT
LOGIC
8Kx16
MEMORY
ARRAY
(BANK 1)
MUX
8Kx16
MEMORY
ARRAY
(BANK 0)
MUX
MUX
CONTROL
LOGIC
I/O
CONTROL
BANK
DECODE
ADDRESS
DECODE
R/
W
R
CE
0R
CE
1R
UB
R
LB
R
OE
R
I/O
8R-15R
I/O
0R-7R
A
12R
A
0R(1)
CONTROL
LOGIC
I/O
CONTROL
BANK
DECODE
ADDRESS
DECODE
A
5R(1)
A
0R(1)
LB
R
/
UB
R
OE
R
R/
W
R
CE
R
3739 drw 01
MBSEL
R
INT
R
MBSEL
L
INT
L
BKSEL
3(2)
BKSEL
0(2)
BANK
SELECT
BA
1R
BA
0R
BA
1L
BA
0L
MUX
HIGH-SPEED
32K x 16 BANK-SWITCHABLE
DUAL-PORTED SRAM WITH
EXTERNAL BANK SELECTS
N
32K x 16 Bank-Switchable Dual-Ported SRAMArchitecture
– Four independent 8K x 16 banks
– 512 Kilobit of memory on chip
N
Fast asynchronous address-to-data access time: 15ns
N
User-controlled input pins included for bank selects
N
Independent port controls with asynchronous address &
data busses
N
Four 16-bit mailboxes available to each port for inter-
processor communications; interrupt option
IDT707278S/L
NOTES:
1. The first six address pins for each port serve dual functions. When
MBSEL
= V
IH
, the pins serve as memory address inputs. When
MBSEL
= V
IL
, the pins
serve as mailbox address inputs.
2. Each bank has an input pin assigned that allows the user to toggle the assignment of that bank between the two ports. Refer to Truth Table I for
more details.
N
Interrupt flags with programmable masking
N
Dual Chip Enables allow for depth expansion without
external logic
N
UB
and
LB
are available for x8 or x16 bus matching
N
TTL-compatible, single 5V (±10%) power supply
N
Available in a 100-pin Thin Quad Flatpack (14mm x 14mm)
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IDT707278L20PF | Low-Noise JFET-Input Operational Amplifier 8-SOIC 0 to 70 |
| IDT707278L20PFI | Low-Noise JFET-Input Operational Amplifier 8-SOIC 0 to 70 |
| IDT707278L25PF | Low-Noise JFET-Input Operational Amplifier 8-SOIC 0 to 70 |
| IDT707278L25PFI | Low-Noise JFET-Input Operational Amplifier 8-SOIC 0 to 70 |
| IDT707278S | HIGH-SPEED 32K x 16 BANK-SWITCHABLE DUAL-PORTED SRAM WITH EXTERNAL BANK SELECTS |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
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| IDT70824L20PF | 功能描述:IC SARAM 64KBIT 20NS 80TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 產品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標準包裝:136 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步，DDR II 存儲容量:18M（1M x 18） 速度:200MHz 接口:并聯 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應商設備封裝:165-CABGA（13x15） 包裝:托盤 其它名稱:71P71804S200BQ |
| IDT70824L20PF8 | 功能描述:IC SARAM 64KBIT 20NS 80TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 產品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標準包裝:136 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步，DDR II 存儲容量:18M（1M x 18） 速度:200MHz 接口:并聯 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應商設備封裝:165-CABGA（13x15） 包裝:托盤 其它名稱:71P71804S200BQ |
| IDT70824L25G | 功能描述:IC SARAM 64KBIT 25NS 84PGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 產品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標準包裝:136 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步，DDR II 存儲容量:18M（1M x 18） 速度:200MHz 接口:并聯 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應商設備封裝:165-CABGA（13x15） 包裝:托盤 其它名稱:71P71804S200BQ |
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