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參數資料
| 型號： | IDT70T653M |
| 廠商： | Integrated Device Technology, Inc. |
| 英文描述： | HIGH-SPEED 2.5V 512K x 36 ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V 0R 2.5V INTERFACE |
| 中文描述： | 高速2.5V的為512k × 36 3.3 5011 2.5V的接口ASYNCHRONO美國雙端口靜態RAM |
| 文件頁數： | 1/24頁 |
| 文件大小： | 309K |
| 代理商： | IDT70T653M |
2003 Integrated Device Technology, Inc.
1
NOVEMBER 2003
DSC-5679/2
CE
0R
CE
1R
R/
W
R
BE
0R
BE
1R
BE
2R
BE
3R
512K x 36
MEMORY
ARRAY
Address
Decoder
A
18R
A
0R
Address
Decoder
CE
0L
CE
1L
R/
W
L
BE
0L
BE
1L
BE
2L
BE
3L
Dout0-8_L
DoDout0-8_R
B
E
0
L
B
E
1
L
B
E
2
L
B
E
3
L
B
E
3
R
B
E
2
R
B
E
1
R
B
E
0
R
I/O
0L-
I/O
35L
A
18L
A
0L
I/O
0R -
I/O
35R
Di n_L
ADDR_L
Di n_R
ADDR_R
OE
R
OE
L
ARBITRATION
INTERRUPT
SEMAPHORE
LOGIC
SEM
L
INT
L(1)
BUSY
L
R/
W
L
OE
L
R/
W
R
OE
R
CE
0L
CE
1L
CE
0R
CE
1R
BUSY
R
SEM
R
INT
R(1)
5679 drw 01
ZZ
CONTROL
LOGIC
ZZ
L(2)
JTAG
TCK
TMS
TRST
TDI
TDO
ZZ
R(2)
Functional Block Diagram
◆
Full on-chip hardware support of semaphore signaling
between ports
◆
Fully asynchronous operation from either port
◆
Separate byte controls for multiplexed bus and bus
matching compatibility
◆
Sleep Mode Inputs on both ports
◆
Single 2.5V (±100mV) power supply for core
◆
LVTTL-compatible, selectable 3.3V (±150mV)/2.5V (±100mV)
power supply for I/Os and control signals on each port
◆
Includes JTAG functionality
◆
Available in a 256-ball Ball Grid Array
◆
Industrial temperature range (–40°C to +85°C) is available
for selected speeds
Features
◆
True Dual-Port memory cells which allow simultaneous
access of the same memory location
◆
High-speed access
– Commercial: 10/12/15ns (max.)
– Industrial: 12ns (max.)
◆
RapidWrite Mode simplifies high-speed consecutive write
cycles
◆
Dual chip enables allow for depth expansion without
external logic
◆
IDT70T653M easily expands data bus width to 72 bits or
more using the Busy Input when cascading more than one
device
◆
Busy input for port contention management
◆
Interrupt Flags
HIGH-SPEED 2.5V
512K x 36
ASYNCHRONOUS DUAL-PORT
STATIC RAM
WITH 3.3V 0R 2.5V INTERFACE
PRELIMINARY
IDT70T653M
NOTES:
1.
INT
is non-tri-state totem-pole outputs (push-pull).
2. The sleep mode pin shuts off all dynamic inputs, except JTAG inputs, when asserted. OPTx,
INT
x and the sleep mode
pins themselves (ZZx) are not affected during sleep mode.
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IDT70T653MS10BC | HIGH-SPEED 2.5V 512K x 36 ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V 0R 2.5V INTERFACE |
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| IDT70T653MS12BCI | HIGH-SPEED 2.5V 512K x 36 ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V 0R 2.5V INTERFACE |
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相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
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| IDT70T653MS10BC8 | 功能描述:IC SRAM 18MBIT 10NS 256BGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:3,000 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 線串口 電源電壓:1.7 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應商設備封裝:8-SOIC 包裝:帶卷 (TR) |
| IDT70T653MS10BCG | 功能描述:IC SRAM 18MBIT 10NS 256BGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:3,000 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 線串口 電源電壓:1.7 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應商設備封裝:8-SOIC 包裝:帶卷 (TR) |
| IDT70T653MS12BC | 功能描述:IC SRAM 18MBIT 12NS 256BGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:3,000 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 線串口 電源電壓:1.7 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應商設備封裝:8-SOIC 包裝:帶卷 (TR) |
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