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參數資料
型號: IDT70V18L
廠商: Integrated Device Technology, Inc.
英文描述: HIGH-SPEED 3.3V 64K x 9 DUAL-PORT STATIC RAM
中文描述: 高速3.3 64K的× 9雙端口靜態RAM
文件頁數: 1/17頁
文件大小: 146K
代理商: IDT70V18L
2002 Integrated Device Technology, Inc.
1
DSC-4854/3
I/O
Control
Address
Decoder
64Kx9
MEMORY
ARRAY
70V18
ARBITRATION
INTERRUPT
SEMAPHORE
LOGIC
CE
0L
CE
OE
L
R/
W
L
A
15L
A
0L
I/O
0-8L
SEM
L
INT
L
(2)
BUSY
L
(1,2)
R/
W
L
CE
0L
CE
1L
OE
L
I/O
Control
Address
Decoder
OE
R
R/
W
R
CE
0R
CE
A
15R
A
0R
I/O
0-8R
SEM
R
INT
R
(2)
R
BUSY
(1,2)
M/
S
(1)
R/
W
R
CE
0R
CE
1R
OE
R
4854 drw 01
1L
1R
16
16
N
M/
S
= V
IH
for
BUSY
output flag on Master,
M/
S
= V
IL
for
BUSY
input on Slave
N
Busy and Interrupt Flags
N
On-chip port arbitration logic
N
Full on-chip hardware support of semaphore signaling
between ports
N
Fully asynchronous operation from either port
N
LVTTL-compatible, single 3.3V (±0.3V) power supply
N
Available in a 100-pin TQFP
N
Industrial temperature range (–40°C to +85°C) is available
for selected speeds
N
True Dual-Ported memory cells which allow simultaneous
access of the same memory location
N
High-speed access
– Commercial: 15/20ns (max.)
– Industrial: 20ns (max.)
N
Low-power operation
– IDT70V18L
Active: 440mW (typ.)
Standby: 660μW (typ.)
N
Dual chip enables allow for depth expansion without
external logic
N
IDT70V18 easily expands data bus width to 18 bits or
more using the Master/Slave select when cascading more
than one device
HIGH-SPEED 3.3V
64K x 9 DUAL-PORT
STATIC RAM
PRELIMINARY
IDT70V18L
NOTES:
1.
2.
BUSY
is an input as a Slave (M/
S
=V
IL
) and an output when it is a Master (M/
S
=V
IH
).
BUSY
and
INT
are non-tri-state totem-pole outputs (push-pull).
相關PDF資料
PDF描述
IDT70V18L15PF HIGH-SPEED 3.3V 64K x 9 DUAL-PORT STATIC RAM
IDT70V18L15PFI HIGH-SPEED 3.3V 64K x 9 DUAL-PORT STATIC RAM
IDT70V18L20PF HIGH-SPEED 3.3V 64K x 9 DUAL-PORT STATIC RAM
IDT70V18L20PFI HIGH-SPEED 3.3V 64K x 9 DUAL-PORT STATIC RAM
IDT70V24L15PF HIGH-SPEED 3.3V 4K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM
相關代理商/技術參數
參數描述
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IDT70V18L15PF8 功能描述:IC SRAM 576KBIT 15NS 100TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 雙端口,同步 存儲容量:1.125M(32K x 36) 速度:5ns 接口:并聯 電源電壓:3.15 V ~ 3.45 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:256-LBGA 供應商設備封裝:256-CABGA(17x17) 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:70V3579S5BCI8
IDT70V18L20PF 功能描述:IC SRAM 576KBIT 20NS 100TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 雙端口,同步 存儲容量:1.125M(32K x 36) 速度:5ns 接口:并聯 電源電壓:3.15 V ~ 3.45 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:256-LBGA 供應商設備封裝:256-CABGA(17x17) 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:70V3579S5BCI8
IDT70V18L20PF8 功能描述:IC SRAM 576KBIT 20NS 100TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 雙端口,同步 存儲容量:1.125M(32K x 36) 速度:5ns 接口:并聯 電源電壓:3.15 V ~ 3.45 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:256-LBGA 供應商設備封裝:256-CABGA(17x17) 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:70V3579S5BCI8
IDT70V18L20PFI 功能描述:IC SRAM 576KBIT 20NS 100TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 雙端口,同步 存儲容量:1.125M(32K x 36) 速度:5ns 接口:并聯 電源電壓:3.15 V ~ 3.45 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:256-LBGA 供應商設備封裝:256-CABGA(17x17) 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:70V3579S5BCI8
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