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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | IDT70V3579S6BC |
| 廠商： | INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 30V N-Channel PowerTrench MOSFET |
| 中文描述： | 32K X 36 DUAL-PORT SRAM, 6 ns, PBGA256 |
| 封裝： | BGA-256 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 1/16頁(yè) |
| 文件大小： | 187K |
| 代理商： | IDT70V3579S6BC |
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2001 Integrated Device Technology, Inc.
DSC 4830/13
1
N
True Dual-Port memory cells which allow simultaneous
access of the same memory location
N
High-speed clock to data access
– Commercial: 4.2/5/6ns (max.)
– Industrial: 5/6ns (max)
N
Pipelined output mode
N
Counter enable and reset features
N
Dual chip enables allow for depth expansion without
additional logic
N
Full synchronous operation on both ports
– 7.5ns cycle time, 133MHz operation (9.6 Gbps bandwidth)
– Fast 4.2ns clock to data out
– 1.8ns setup to clock and 0.7ns hold on all control, data, and
address inputs @ 133MHz
– Data input, address, byte enable and control registers
– Self-timed write allows fast cycle time
N
Separate byte controls for multiplexed bus and bus
matching compatibility
N
LVTTL- compatible, single 3.3V (±150mV) power supply for
core
N
LVTTL compatible, selectable 3.3V (±150mV)/2.5V (±125mV)
power supply for I/Os and control signals on each port
N
Industrial temperature range (-40°C to +85°C) is
available for selected speeds
N
Available in a 208-pin Plastic Quad Flatpack (PQFP) and
208-pin fine pitch Ball Grid Array, and 256-pin Ball Grid
Array
HIGH-SPEED 3.3V 32K x 36
SYNCHRONOUS PIPELINED
DUAL-PORT STATIC RAM
WITH 3.3V OR 2.5V INTERFACE
IDT70V3579S
CNTRST
R
ADS
R
Counter/
Address
Reg.
A
14R
A
0R
Counter/
Address
Reg.
CNTEN
R
CNTEN
L
ADS
L
CNTRST
L
Dout0-8_L
Dout9-17_L
Dout18-26_L
Dout27-35_L
Dout0-8_R
Dout9-17_R
Dout18-26_R
Dout27-35_R
B
W
0
L
B
W
1
L
B
W
2
L
B
W
3
L
B
W
3
R
B
W
2
R
B
W
1
R
B
W
0
R
I/O
0L
- I/O
35L
A
14L
A
0L
I/O
0R
- I/O
35R
Din_L
ADDR_L
Din_R
ADDR_R
OE
R
OE
L
4830 tbl 01
BE
3L
BE
2L
BE
1L
BE
0L
R/
W
L
CE
0L
CE
1L
BE
3R
BE
2R
BE
1R
BE
0R
R/
W
R
CE
0R
CE
1R
32K x 36
MEMORY
ARRAY
CLK
R
CLK
L
,
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IDT70V3579S6BCI | HIGH-SPEED 3.3V 32K x 36 SYNCHRONOUS PIPELINED DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V OR 2.5V INTERFACE |
| IDT70V3579S6BF | HIGH-SPEED 3.3V 32K x 36 SYNCHRONOUS PIPELINED DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V OR 2.5V INTERFACE |
| IDT70V3579S6BFI | HIGH-SPEED 3.3V 32K x 36 SYNCHRONOUS PIPELINED DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V OR 2.5V INTERFACE |
| IDT70V3579S6DR | HIGH-SPEED 3.3V 32K x 36 SYNCHRONOUS PIPELINED DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V OR 2.5V INTERFACE |
| IDT70V3579S6DRI | HIGH-SPEED 3.3V 32K x 36 SYNCHRONOUS PIPELINED DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V OR 2.5V INTERFACE |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IDT70V3579S6BC8 | 功能描述:IC SRAM 1.125MBIT 6NS 256BGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 雙端口，同步 存儲(chǔ)容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.15 V ~ 3.45 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:256-LBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:256-CABGA（17x17） 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:70V3579S5BCI8 |
| IDT70V3579S6BCI | 制造商:Integrated Device Technology Inc 功能描述:IC SRAM 1.125MBIT 6NS 256CABGA |
| IDT70V3579S6BCI8 | 制造商:Integrated Device Technology Inc 功能描述:IC SRAM 1.125MBIT 6NS 256CABGA |
| IDT70V3579S6BF | 功能描述:IC SRAM 1.125MBIT 6NS 208FBGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:EEPROMs - 串行 存儲(chǔ)器類型:EEPROM 存儲(chǔ)容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 線串口 電源電壓:1.7 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-SOIC 包裝:帶卷 (TR) |
| IDT70V3579S6BF8 | 功能描述:IC SRAM 1.125MBIT 6NS 208FBGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 雙端口，同步 存儲(chǔ)容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.15 V ~ 3.45 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:256-LBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:256-CABGA（17x17） 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:70V3579S5BCI8 |
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