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參數資料
| 型號： | IDT70V658S15DRI |
| 廠商： | INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | Dual N-Channel Digital FET |
| 中文描述： | 64K X 36 DUAL-PORT SRAM, 15 ns, PQFP208 |
| 封裝： | 28 X 28 MM, 3.50 MM HEIGHT, PLASTIC, QFP-208 |
| 文件頁數： | 1/15頁 |
| 文件大?。?/td> | 190K |
| 代理商： | IDT70V658S15DRI |
2000 Integrated Device Technology, Inc.
JANUARY 2001
DSC-4857/2
1
Functional Block Diagram
Features:
x
True Dual-Ported memory cells which allow simultaneous
access of the same memory location
x
High-speed clock to data access
– Commercial: 7.5/9/12ns (max.)
x
Low-power operation
– IDT70V9379L
Active: 500mW (typ.)
Standby: 1.5mW (typ.)
x
Flow-Through or Pipelined output mode on either port via
the
FT/PIPE pins
x
Counter enable and reset features
x
Dual chip enables allow for depth expansion without
additional logic
x
Full synchronous operation on both ports
– 4ns setup to clock and 0ns hold on all control, data, and
address inputs
– Data input, address, and control registers
– Fast 7.5ns clock to data out in the Pipelined output mode
– Self-timed write allows fast cycle time
– 12ns cycle time, 83MHz operation in Pipelined output mode
x
Separate upper-byte and lower-byte controls for
multiplexed bus and bus matching compatibility
x
LVTTL- compatible, single 3.3V (±0.3V) power supply
x
Industrial temperature range (–40°C to +85°C) is
available for selected speeds
x
Available in a 128-pin Thin Quad Flatpack (TQFP)
IDT70V9379L
0a 1a
0b 1b
0/1
ab
I/O
Control
1
0/1
0
FT/PIPER
R/WR
UBR
LBR
CE0R
OER
CE1R
MEMORY
ARRAY
Counter/
Address
Reg.
4857 drw 01
A14R
A0R
CLKR
ADSR
CNTENR
CNTRSTR
I/O9L-I/O17L
I/O0L-I/O8L
I/O9R-I/O17R
I/O0R-I/O8R
A0L
CLKL
ADSL
A14L
CNTENL
CNTRSTL
Counter/
Address
Reg.
R/WL
UBL
LBL
CE0L
OEL
CE1L
1
0/1
0
1b 0b
1a 0a
0/1
ba
I/O
Control
FT/PIPEL
HIGH-SPEED 3.3V 32K x 18
SYNCHRONOUS PIPELINED
DUAL-PORT STATIC RAM
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IDT70V659S | Dual N-Channel Digital FET; Package: SC70-6; No of Pins: 6; Container: Tape & Reel |
| IDT70V659S12BFI | Dual N-Channel Digital FET |
| IDT70V659S12DR | Dual N-Channel Digital FET |
| IDT70V659S12DRI | HIGH-SPEED 3.3V 128K x 36 ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM |
| IDT70V659S15BC | HIGH-SPEED 3.3V 128K x 36 ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| IDT70V659S10BC | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 10NS 256BGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:3,000 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 線串口 電源電壓:1.7 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應商設備封裝:8-SOIC 包裝:帶卷 (TR) |
| IDT70V659S10BC8 | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 10NS 256BGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:3,000 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 線串口 電源電壓:1.7 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應商設備封裝:8-SOIC 包裝:帶卷 (TR) |
| IDT70V659S10BCG | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 10NS 256BGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:3,000 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 線串口 電源電壓:1.7 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應商設備封裝:8-SOIC 包裝:帶卷 (TR) |
| IDT70V659S10BF | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 10NS 208FBGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:3,000 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 線串口 電源電壓:1.7 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應商設備封裝:8-SOIC 包裝:帶卷 (TR) |
| IDT70V659S10BF8 | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 10NS 208FBGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:3,000 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 線串口 電源電壓:1.7 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應商設備封裝:8-SOIC 包裝:帶卷 (TR) |
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