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參數資料
型號: IDT71028S20Y
廠商: INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC
元件分類: DRAM
英文描述: Precision Adjustable (Programmable) Shunt Reference 8-TSSOP 0 to 70
中文描述: 256K X 4 STANDARD SRAM, 20 ns, PDSO28
封裝: 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-28
文件頁數: 1/7頁
文件大?。?/td> 59K
代理商: IDT71028S20Y
Integrated Device Technology, Inc.
COMMERCIAL TEMPERATURE RANGE
AUGUST 1996
1996 Integrated Device Technology, Inc.
9.4
DSC-2966/5
1
The IDT logo is a registered trademark of Integrated Device Technology, Inc.
FEATURES:
256K x 4 advanced high-speed CMOS static RAM
Equal access and cycle times
— Commercial: 12/15/17/20ns
One Chip Select plus one Output Enable pin
Bidirectional data Inputs and outputs directly
TTL-compatible
Low power consumption via chip deselect
Available in 400 mil Plastic SOJ package
DESCRIPTION:
The IDT71028 is a 1,048,576-bit high-speed static RAM
organized as 256K x 4. It is fabricated using IDT’s high-
perfomance, high-reliability CMOS technology. This state-of-
the-art technology, combined with innovative circuit design
techniques, provides a cost-effective solution for high-speed
memory needs.
The IDT71028 has an output enable pin which operates as
fast as 6ns, with address access times as fast as 12ns. All
bidirectional inputs and outputs of the IDT71028 are TTL-
compatible and operation is from a single 5V supply. Fully
static asynchronous circuitry is used, requiring no clocks or
refresh for operation.
The IDT71028 is packaged in 28-pin 400 mil Plastic SOJ
package.
FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM
A
17
A
0
I/O CONTROL
I/O
0
– I/O
3
CONTROL
LOGIC
WE
OE
CS
2966 drw 01
4
4
ADDRESS
DECODER
1,048,576-BIT
MEMORY
ARRAY
CMOS STATIC RAM
1 MEG (256K x 4-BIT)
IDT71028
相關PDF資料
PDF描述
IDT71028S70 CMOS STATIC RAM 1 MEG (256K x 4-BIT)
IDT71028S70Y CMOS STATIC RAM 1 MEG (256K x 4-BIT)
IDT71124S12Y CMOS Static RAM 1 Meg (128K x 8-Bit) Revolutionary Pinout
IDT71124S12YI CMOS Static RAM 1 Meg (128K x 8-Bit) Revolutionary Pinout
IDT71124S15Y CMOS Static RAM 1 Meg (128K x 8-Bit) Revolutionary Pinout
相關代理商/技術參數
參數描述
IDT71028SI4Y 制造商:INT_DEV_TECH 功能描述:
IDT71124S12Y 功能描述:IC SRAM 1MBIT 12NS 32SOJ RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 產品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標準包裝:136 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步,DDR II 存儲容量:18M(1M x 18) 速度:200MHz 接口:并聯 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應商設備封裝:165-CABGA(13x15) 包裝:托盤 其它名稱:71P71804S200BQ
IDT71124S12Y8 功能描述:IC SRAM 1MBIT 12NS 32SOJ RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 產品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標準包裝:136 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步,DDR II 存儲容量:18M(1M x 18) 速度:200MHz 接口:并聯 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應商設備封裝:165-CABGA(13x15) 包裝:托盤 其它名稱:71P71804S200BQ
IDT71124S12YG 功能描述:IC SRAM 1MBIT 12NS 32SOJ RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:1 系列:- 格式 - 存儲器:閃存 存儲器類型:閃存 - NAND 存儲容量:4G(256M x 16) 速度:- 接口:并聯 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:48-TFSOP(0.724",18.40mm 寬) 供應商設備封裝:48-TSOP I 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:557-1461-6
IDT71124S12YG8 功能描述:IC SRAM 1MBIT 12NS 32SOJ RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:2,000 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 異步 存儲容量:256K (32K x 8) 速度:15ns 接口:并聯 電源電壓:3 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:28-TSSOP(0.465",11.8mm 寬) 供應商設備封裝:28-TSOP 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:71V256SA15PZGI8
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