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參數資料
型號: IDT71124S20Y
廠商: INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC
元件分類: DRAM
英文描述: CMOS Static RAM 1 Meg (128K x 8-Bit) Revolutionary Pinout
中文描述: 128K X 8 STANDARD SRAM, 20 ns, PDSO32
封裝: 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-32
文件頁數: 1/8頁
文件大小: 83K
代理商: IDT71124S20Y
FEBRUARY
2001
DSC-3514/10
1
2000 Integrated Device Technology, Inc.
Features
N
128K x 8 advanced high-speed CMOS static RAM
N
JEDEC revolutionary pinout (center power/GND) for
reduced noise.
N
Equal access and cycle times
– Commercial and Industrial: 12/15/20ns
N
One Chip Select plus one Output Enable pin
N
Bidirectional inputs and outputs directly TTL-compatible
N
Low power consumption via chip deselect
N
Available in a 32-pin 400 mil Plastic SOJ.
Functional Block Diagram
Description
The IDT71124 is a 1,048,576-bit high-speed static RAMorga-
nized as 128K x 8. It is fabricated using IDT’s high-performance,
high-reliability CMOS technology. This state-of-the-art technology,
combined with innovative circuit design techniques, provides a cost-
effective solution for high-speed memory needs. The JEDEC
centerpower/GND pinout reduces noise generation and improves
systemperformance.
The IDT71124 has an output enable pin which operates as fast
as 6ns, with address access times as fast as 12ns available. All
bidirectional inputs and outputs of the IDT71124 are TTL-compatible
and operation is froma single 5V supply. Fully static asynchronous
circuitry is used; no clocks or refreshes are required for operation.
The IDT71124 is packaged in a 32-pin 400 ml Plastic SOJ.
ADDRESS
DECODER
1,048,576-BIT
MEMORY ARRAY
I/O CONTROL
A
0
A
16
3514 drw 01
8
8
I/O
0
- I/O
7
8
CONTROL
LOGIC
WE
OE
CS
,
CMOS Static RAM
1 Meg (128K x 8-Bit)
Revolutionary Pinout
IDT71124
相關PDF資料
PDF描述
IDT71124S20YI CMOS Static RAM 1 Meg (128K x 8-Bit) Revolutionary Pinout
IDT71128 Precision Adjustable (Programmable) Shunt Reference 8-SOIC -40 to 125
IDT71128S12Y CMOS Static RAM 1 Meg (256K x 4-Bit) Revolutionary Pinout
IDT71128S12YI Precision Adjustable (Programmable) Shunt Reference 8-SOIC -40 to 125
IDT71128S15Y CMOS Static RAM 1 Meg (256K x 4-Bit) Revolutionary Pinout
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參數描述
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IDT71124S20YG 功能描述:IC SRAM 1MBIT 20NS 32SOJ RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:72 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步 存儲容量:4.5M(256K x 18) 速度:133MHz 接口:并聯 電源電壓:3.135 V ~ 3.465 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:100-LQFP 供應商設備封裝:100-TQFP(14x20) 包裝:托盤
IDT71124S20YG8 功能描述:IC SRAM 1MBIT 20NS 32SOJ RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:72 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步 存儲容量:4.5M(256K x 18) 速度:133MHz 接口:并聯 電源電壓:3.135 V ~ 3.465 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:100-LQFP 供應商設備封裝:100-TQFP(14x20) 包裝:托盤
IDT71124S20YGI 功能描述:IC SRAM 1MBIT 20NS 32SOJ RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:72 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步 存儲容量:4.5M(256K x 18) 速度:133MHz 接口:并聯 電源電壓:3.135 V ~ 3.465 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:100-LQFP 供應商設備封裝:100-TQFP(14x20) 包裝:托盤
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