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參數(shù)資料
| 型號： | IDT71258S20SO |
| 英文描述： | x4 SRAM |
| 中文描述： | x4的SRAM |
| 文件頁數(shù)： | 1/24頁 |
| 文件大小： | 741K |
| 代理商： | IDT71258S20SO |
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相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IDT71258S20TC | x4 SRAM |
| IDT71258S20TP | x4 SRAM |
| IDT71258S20Y | x4 SRAM |
| IDT71258S25EB | x4 SRAM |
| IDT71258S25L28 | x4 SRAM |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IDT7130LA100C | 功能描述:IC SRAM 8KBIT 100NS 48DIP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 雙端口，同步 存儲容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.15 V ~ 3.45 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:256-LBGA 供應商設備封裝:256-CABGA（17x17） 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:70V3579S5BCI8 |
| IDT7130LA100CB | 制造商:Integrated Device Technology Inc 功能描述:IC SRAM 8KBIT 100NS SB48 |
| IDT7130LA100J | 功能描述:IC SRAM 8KBIT 100NS 52PLCC RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 異步 存儲容量:16M（2M x 8，1M x 16） 速度:45ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.2 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-VFBGA 供應商設備封裝:48-VFBGA（6x8） 包裝:帶卷 (TR) |
| IDT7130LA100J8 | 功能描述:IC SRAM 8KBIT 100NS 52PLCC RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 異步 存儲容量:16M（2M x 8，1M x 16） 速度:45ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.2 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-VFBGA 供應商設備封裝:48-VFBGA（6x8） 包裝:帶卷 (TR) |
| IDT7130LA100L48B | 制造商:Integrated Device Technology Inc 功能描述:IC SRAM 8KBIT 100NS 48LCC |
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