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參數(shù)資料
| 型號： | IDT7140LA100JI |
| 英文描述： | x8 Dual-Port SRAM |
| 中文描述： | x8雙端口SRAM |
| 文件頁數(shù)： | 1/24頁 |
| 文件大小： | 741K |
| 代理商： | IDT7140LA100JI |
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相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IDT7140LA100L52 | x8 Dual-Port SRAM |
| IDT7140LA100L52B | x8 Dual-Port SRAM |
| IDT7140LA120FB | x8 Dual-Port SRAM |
| IDT7140LA120L48B | x8 Dual-Port SRAM |
| IDT7140LA120L52B | x8 Dual-Port SRAM |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IDT7140LA100L48B | 制造商:Integrated Device Technology Inc 功能描述:IC SRAM 8KBIT 100NS 48LCC |
| IDT7140LA100P | 功能描述:IC SRAM 8KBIT 100NS 48DIP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 異步 存儲容量:16M（2M x 8，1M x 16） 速度:45ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.2 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-VFBGA 供應商設備封裝:48-VFBGA（6x8） 包裝:帶卷 (TR) |
| IDT7140LA100PF | 功能描述:IC SRAM 8KBIT 100NS 64TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 異步 存儲容量:16M（2M x 8，1M x 16） 速度:45ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.2 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-VFBGA 供應商設備封裝:48-VFBGA（6x8） 包裝:帶卷 (TR) |
| IDT7140LA100PF8 | 功能描述:IC SRAM 8KBIT 100NS 64TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 異步 存儲容量:16M（2M x 8，1M x 16） 速度:45ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.2 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-VFBGA 供應商設備封裝:48-VFBGA（6x8） 包裝:帶卷 (TR) |
| IDT7140LA20J | 功能描述:IC SRAM 8KBIT 20NS 52PLCC RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:72 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步 存儲容量:9M（256K x 36） 速度:75ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.135 V ~ 3.465 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:100-LQFP 供應商設備封裝:100-TQFP（14x14） 包裝:托盤 其它名稱:71V67703S75PFGI |
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