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參數資料
| 型號： | IDT7164S35TCB |
| 英文描述： | x8 SRAM |
| 中文描述： | x8的SRAM |
| 文件頁數： | 1/24頁 |
| 文件大小： | 741K |
| 代理商： | IDT7164S35TCB |
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相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IDT7164S35XE | x8 SRAM |
| IDT7164S45EB | x8 SRAM |
| IDT7164S45J | x8 SRAM |
| IDT7164S45L28B | x8 SRAM |
| IDT7164S45L32B | x8 SRAM |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| IDT7164S35TDB | 制造商:Integrated Device Technology Inc 功能描述:IC SRAM 64KBIT 35NS 28CDIP |
| IDT7164S35TPG | 功能描述:IC SRAM 64KBIT 35NS 28DIP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 產品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標準包裝:136 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步，DDR II 存儲容量:18M（1M x 18） 速度:200MHz 接口:并聯 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應商設備封裝:165-CABGA（13x15） 包裝:托盤 其它名稱:71P71804S200BQ |
| IDT7164S35YG | 功能描述:IC SRAM 64KBIT 35NS 28SOJ RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 產品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標準包裝:136 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步，DDR II 存儲容量:18M（1M x 18） 速度:200MHz 接口:并聯 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應商設備封裝:165-CABGA（13x15） 包裝:托盤 其它名稱:71P71804S200BQ |
| IDT7164S35YG8 | 功能描述:IC SRAM 64KBIT 35NS 28SOJ RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 產品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標準包裝:136 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步，DDR II 存儲容量:18M（1M x 18） 速度:200MHz 接口:并聯 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應商設備封裝:165-CABGA（13x15） 包裝:托盤 其它名稱:71P71804S200BQ |
| IDT7164S35YGI | 功能描述:IC SRAM 64KBIT 35NS 28SOJ RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 產品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標準包裝:136 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步，DDR II 存儲容量:18M（1M x 18） 速度:200MHz 接口:并聯 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應商設備封裝:165-CABGA（13x15） 包裝:托盤 其它名稱:71P71804S200BQ |
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