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參數(shù)資料
型號: IDT71L016L70PHI
廠商: Integrated Device Technology, Inc.
英文描述: LOW POWER 3V CMOS SRAM 1 MEG (64K x 16-BIT)
中文描述: 3V的低功耗CMOS SRAM的1邁可(64K的x 16位)
文件頁數(shù): 1/24頁
文件大小: 741K
代理商: IDT71L016L70PHI
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PDF描述
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參數(shù)描述
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IDT71P71604S167BQG 功能描述:IC SRAM 18MBIT 167MHZ 165FBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:136 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 同步,DDR II 存儲(chǔ)容量:18M(1M x 18) 速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:165-CABGA(13x15) 包裝:托盤 其它名稱:71P71804S200BQ
IDT71P71604S167BQG8 功能描述:IC SRAM 18MBIT 167MHZ 165FBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:136 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 同步,DDR II 存儲(chǔ)容量:18M(1M x 18) 速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:165-CABGA(13x15) 包裝:托盤 其它名稱:71P71804S200BQ
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