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參數資料
| 型號： | IDT71P72804S200BQ |
| 廠商： | INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | Nickel Cadmium Battery Pack; Voltage Rating:12V RoHS Compliant: NA |
| 中文描述： | 1M X 18 QDR SRAM, 0.45 ns, PBGA165 |
| 封裝： | 13 X 15 MM, 1 MM PITCH, FBGA-165 |
| 文件頁數： | 1/24頁 |
| 文件大小： | 741K |
| 代理商： | IDT71P72804S200BQ |
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相關PDF資料 |
PDF描述 |
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相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
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| IDT71P72804S200BQG | 功能描述:IC SRAM 18MBIT 200MHZ 165FBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:378 系列:- 格式 - 存儲器:閃存 存儲器類型:FLASH 存儲容量:8M（1M x 8，512K x 16） 速度:110ns 接口:并聯 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-CBGA 供應商設備封裝:48-CBGA（7x7） 包裝:托盤 |
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