欧美成人免费电影,国产欧美一区二区三区精品酒店,精品国产a毛片,色网在线免费观看

參數資料
型號: IDT71T016SA15Y
廠商: INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC
元件分類: DRAM
英文描述: 2.5V CMOS Static RAM 1 Meg (64K x 16-Bit)
中文描述: 64K X 16 STANDARD SRAM, 15 ns, PDSO44
封裝: 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-44
文件頁數: 1/9頁
文件大小: 113K
代理商: IDT71T016SA15Y
APRIL 2004
DSC-5326/01
1
2004 Integrated Device Technology, Inc.
Features
N
64K x 16 advanced high-speed CMOS Static RAM
N
Equal access and cycle times
— Commercial: 10/12/15/20ns
— Industrial: 12/15/20ns
N
One Chip Select plus one Output Enable pin
N
Bidirectional data inputs and outputs directly
LVTTL-compatible
N
Low power consumption via chip deselect
N
Upper and Lower Byte Enable Pins
N
Single 2.5V power supply
N
Available in 44-pin Plastic SOJ, 44-pin TSOP, and 48-Ball
Plastic FBGA packages
Description
The IDT71T016 is a 1,048,576-bit high-speed Static RAMorganized
as 64K x 16. It is fabricated using IDT’s high-perfomance, high-reliability
CMOS technology. This state-of-the-art technology, combined with inno-
vative circuit design techniques, provides a cost-effective solution for high-
speed memory needs.
The IDT71T016 has an output enable pin which operates as fast as
5ns, with address access times as fast as 10ns. All bidirectional inputs and
outputs of the IDT71T016 are LVTTL-compatible and operation is froma
single 2.5V supply. Fully static asynchronous circuitry is used, requiring
no clocks or refresh for operation.
The IDT71T016 is packaged in a JEDEC standard a 44-pin Plastic
SOJ, 44-pin TSOP Type II, and a 48-ball plastic 7 x 7 mmFBGA.
Functional Block Diagram
2.5V CMOS Static RAM
1 Meg (64K x 16-Bit)
IDT71T016SA
Output
Enable
Buffer
Address
Buffers
Chip
Enable
Buffer
Write
Enable
Buffer
Byte
Enable
Buffers
OE
A
0
– A
15
Row / Column
Decoders
CS
WE
BHE
BLE
64K x 16
Memory
Array
Sense
Amps
and
Write
Drivers
16
Low
Byte
I/O
Buffer
8
8
8
8
I/O
8
I/O
15
I/O
7
I/O
0
5326 drw 01
High
Byte
I/O
Buffer
相關PDF資料
PDF描述
IDT71T016SA15YI 2.5V CMOS Static RAM 1 Meg (64K x 16-Bit)
IDT71T016SA20BF 2.5V CMOS Static RAM 1 Meg (64K x 16-Bit)
IDT71T016SA20BFI 2.5V CMOS Static RAM 1 Meg (64K x 16-Bit)
IDT71T016SA20PH 2.5V CMOS Static RAM 1 Meg (64K x 16-Bit)
IDT71T016SA20PHI 2.5V CMOS Static RAM 1 Meg (64K x 16-Bit)
相關代理商/技術參數
參數描述
IDT71T016SA20BF 功能描述:IC SRAM 1MBIT 20NS 48FBGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 產品變化通告:Product Discontinuation 05/Nov/2008 標準包裝:84 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步 ZBT 存儲容量:4.5M(128K x 36) 速度:75ns 接口:并聯 電源電壓:3.135 V ~ 3.465 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:119-BGA 供應商設備封裝:119-PBGA(14x22) 包裝:托盤 其它名稱:71V3557SA75BGI
IDT71T016SA20BF8 功能描述:IC SRAM 1MBIT 20NS 48FBGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 產品變化通告:Product Discontinuation 05/Nov/2008 標準包裝:84 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步 ZBT 存儲容量:4.5M(128K x 36) 速度:75ns 接口:并聯 電源電壓:3.135 V ~ 3.465 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:119-BGA 供應商設備封裝:119-PBGA(14x22) 包裝:托盤 其它名稱:71V3557SA75BGI
IDT71T016SA20BFI 功能描述:IC SRAM 1MBIT 20NS 48FBGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 產品變化通告:Product Discontinuation 05/Nov/2008 標準包裝:84 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步 ZBT 存儲容量:4.5M(128K x 36) 速度:75ns 接口:并聯 電源電壓:3.135 V ~ 3.465 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:119-BGA 供應商設備封裝:119-PBGA(14x22) 包裝:托盤 其它名稱:71V3557SA75BGI
IDT71T016SA20PH 功能描述:IC SRAM 1MBIT 20NS 44TSOP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 產品變化通告:Product Discontinuation 05/Nov/2008 標準包裝:84 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步 ZBT 存儲容量:4.5M(128K x 36) 速度:75ns 接口:并聯 電源電壓:3.135 V ~ 3.465 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:119-BGA 供應商設備封裝:119-PBGA(14x22) 包裝:托盤 其它名稱:71V3557SA75BGI
IDT71T016SA20PH8 功能描述:IC SRAM 1MBIT 20NS 44TSOP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 產品變化通告:Product Discontinuation 05/Nov/2008 標準包裝:84 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步 ZBT 存儲容量:4.5M(128K x 36) 速度:75ns 接口:并聯 電源電壓:3.135 V ~ 3.465 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:119-BGA 供應商設備封裝:119-PBGA(14x22) 包裝:托盤 其它名稱:71V3557SA75BGI
主站蜘蛛池模板: 台中县| 安阳市| 高碑店市| 洞口县| 彰武县| 贵南县| 库伦旗| 金乡县| 漳平市| 长沙县| 许昌市| 汤原县| 灵武市| 蓬安县| 田东县| 武穴市| 彭水| 汝阳县| 长海县| 阳原县| 巴塘县| 颍上县| 拉萨市| 霸州市| 舞阳县| 海丰县| 伊吾县| 东光县| 乐清市| 安乡县| 吉安市| 大余县| 木兰县| 青田县| 庐江县| 静宁县| 美姑县| 桦川县| 梁河县| 沭阳县| 班玛县|