欧美成人免费电影,国产欧美一区二区三区精品酒店,精品国产a毛片,色网在线免费观看

參數資料
型號: IDT71T016SA
廠商: Integrated Device Technology, Inc.
英文描述: 2.5V CMOS Static RAM 1 Meg (64K x 16-Bit)
中文描述: 為2.5V的CMOS靜態RAM 1梅格(64K的x 16位)
文件頁數: 1/9頁
文件大小: 113K
代理商: IDT71T016SA
APRIL 2004
DSC-5326/01
1
2004 Integrated Device Technology, Inc.
Features
N
64K x 16 advanced high-speed CMOS Static RAM
N
Equal access and cycle times
— Commercial: 10/12/15/20ns
— Industrial: 12/15/20ns
N
One Chip Select plus one Output Enable pin
N
Bidirectional data inputs and outputs directly
LVTTL-compatible
N
Low power consumption via chip deselect
N
Upper and Lower Byte Enable Pins
N
Single 2.5V power supply
N
Available in 44-pin Plastic SOJ, 44-pin TSOP, and 48-Ball
Plastic FBGA packages
Description
The IDT71T016 is a 1,048,576-bit high-speed Static RAMorganized
as 64K x 16. It is fabricated using IDT’s high-perfomance, high-reliability
CMOS technology. This state-of-the-art technology, combined with inno-
vative circuit design techniques, provides a cost-effective solution for high-
speed memory needs.
The IDT71T016 has an output enable pin which operates as fast as
5ns, with address access times as fast as 10ns. All bidirectional inputs and
outputs of the IDT71T016 are LVTTL-compatible and operation is froma
single 2.5V supply. Fully static asynchronous circuitry is used, requiring
no clocks or refresh for operation.
The IDT71T016 is packaged in a JEDEC standard a 44-pin Plastic
SOJ, 44-pin TSOP Type II, and a 48-ball plastic 7 x 7 mmFBGA.
Functional Block Diagram
2.5V CMOS Static RAM
1 Meg (64K x 16-Bit)
IDT71T016SA
Output
Enable
Buffer
Address
Buffers
Chip
Enable
Buffer
Write
Enable
Buffer
Byte
Enable
Buffers
OE
A
0
– A
15
Row / Column
Decoders
CS
WE
BHE
BLE
64K x 16
Memory
Array
Sense
Amps
and
Write
Drivers
16
Low
Byte
I/O
Buffer
8
8
8
8
I/O
8
I/O
15
I/O
7
I/O
0
5326 drw 01
High
Byte
I/O
Buffer
相關PDF資料
PDF描述
IDT71T016SA10BF 2.5V CMOS Static RAM 1 Meg (64K x 16-Bit)
IDT71T016SA10BFI 2.5V CMOS Static RAM 1 Meg (64K x 16-Bit)
IDT71T016SA10PH 2.5V CMOS Static RAM 1 Meg (64K x 16-Bit)
IDT71T016SA10PHI 2.5V CMOS Static RAM 1 Meg (64K x 16-Bit)
IDT71T016SA10Y 2.5V CMOS Static RAM 1 Meg (64K x 16-Bit)
相關代理商/技術參數
參數描述
IDT71T016SA12BF 功能描述:IC SRAM 1MBIT 12NS 48FBGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 產品變化通告:Product Discontinuation 05/Nov/2008 標準包裝:84 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步 ZBT 存儲容量:4.5M(128K x 36) 速度:75ns 接口:并聯 電源電壓:3.135 V ~ 3.465 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:119-BGA 供應商設備封裝:119-PBGA(14x22) 包裝:托盤 其它名稱:71V3557SA75BGI
IDT71T016SA12BF8 功能描述:IC SRAM 1MBIT 12NS 48FBGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 產品變化通告:Product Discontinuation 05/Nov/2008 標準包裝:84 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步 ZBT 存儲容量:4.5M(128K x 36) 速度:75ns 接口:并聯 電源電壓:3.135 V ~ 3.465 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:119-BGA 供應商設備封裝:119-PBGA(14x22) 包裝:托盤 其它名稱:71V3557SA75BGI
IDT71T016SA12BFI 功能描述:IC SRAM 1MBIT 12NS 48FBGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 產品變化通告:Product Discontinuation 05/Nov/2008 標準包裝:84 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步 ZBT 存儲容量:4.5M(128K x 36) 速度:75ns 接口:并聯 電源電壓:3.135 V ~ 3.465 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:119-BGA 供應商設備封裝:119-PBGA(14x22) 包裝:托盤 其它名稱:71V3557SA75BGI
IDT71T016SA12PH 功能描述:IC SRAM 1MBIT 12NS 44TSOP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 產品變化通告:Product Discontinuation 05/Nov/2008 標準包裝:84 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步 ZBT 存儲容量:4.5M(128K x 36) 速度:75ns 接口:并聯 電源電壓:3.135 V ~ 3.465 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:119-BGA 供應商設備封裝:119-PBGA(14x22) 包裝:托盤 其它名稱:71V3557SA75BGI
IDT71T016SA12PH8 功能描述:IC SRAM 1MBIT 12NS 44TSOP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 產品變化通告:Product Discontinuation 05/Nov/2008 標準包裝:84 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步 ZBT 存儲容量:4.5M(128K x 36) 速度:75ns 接口:并聯 電源電壓:3.135 V ~ 3.465 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:119-BGA 供應商設備封裝:119-PBGA(14x22) 包裝:托盤 其它名稱:71V3557SA75BGI
主站蜘蛛池模板: 吴堡县| 河西区| 名山县| 广宗县| 江城| 忻城县| 达州市| 环江| 宝山区| 万宁市| 云梦县| 临洮县| 陇西县| 大理市| 田林县| 招远市| 淮南市| 额敏县| 喜德县| 沭阳县| 卢龙县| 博湖县| 昭平县| 广西| 喜德县| 北辰区| 海盐县| 大埔区| 邳州市| 陆河县| 武清区| 文化| 海林市| 石门县| 甘谷县| 新闻| 奇台县| 鄯善县| 临朐县| 营口市| 涿州市|