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參數(shù)資料
| 型號： | IDT71T75602S100BGI |
| 廠商： | INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 512K x 36, 1M x 18 2.5V Synchronous ZBT⑩ SRAMs 2.5V I/O, Burst Counter Pipelined Outputs |
| 中文描述： | 512K X 36 ZBT SRAM, 5 ns, PBGA119 |
| 封裝： | 14 X 22 MM, MS-028-AA, BGA-119 |
| 文件頁數(shù)： | 1/24頁 |
| 文件大?。?/td> | 741K |
| 代理商： | IDT71T75602S100BGI |
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相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IDT71T75802S100BG | 512K x 36, 1M x 18 2.5V Synchronous ZBT⑩ SRAMs 2.5V I/O, Burst Counter Pipelined Outputs |
| IDT71T75802S100BGI | 512K x 36, 1M x 18 2.5V Synchronous ZBT⑩ SRAMs 2.5V I/O, Burst Counter Pipelined Outputs |
| IDT77V106 | 3.3V ATM PHY for 25.6 and 51.2 Mbps |
| IDT77V106L200TFI | 3.3V ATM PHY for 25.6 and 51.2 Mbps |
| IDT77V106L25 | 3.3V ATM PHY for 25.6 and 51.2 Mbps |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| IDT71T75602S100PF | 功能描述:IC SRAM 18MBIT 100MHZ 100TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 05/Nov/2008 標(biāo)準(zhǔn)包裝:84 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 同步 ZBT 存儲(chǔ)容量:4.5M（128K x 36） 速度:75ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.135 V ~ 3.465 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:119-BGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:119-PBGA（14x22） 包裝:托盤 其它名稱:71V3557SA75BGI |
| IDT71T75602S100PF8 | 功能描述:IC SRAM 18MBIT 100MHZ 100TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 05/Nov/2008 標(biāo)準(zhǔn)包裝:84 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 同步 ZBT 存儲(chǔ)容量:4.5M（128K x 36） 速度:75ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.135 V ~ 3.465 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:119-BGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:119-PBGA（14x22） 包裝:托盤 其它名稱:71V3557SA75BGI |
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