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參數(shù)資料
型號: IDT71V124SA20
廠商: Integrated Device Technology, Inc.
英文描述: 3.3V CMOS Static RAM 1 Meg (128K x 8-Bit) Center Power & Ground Pinout
中文描述: 3.3V的CMOS靜態(tài)RAM 1梅格(128K的× 8位)中心電源
文件頁數(shù): 1/8頁
文件大小: 81K
代理商: IDT71V124SA20
1
2003- Integrated Device Technology, Inc.
NOVEMBER 2003
DSC-3873/07
Features
N
128K x 8 advanced high-speed CMOS static RAM
N
JEDEC revolutionary pinout (center power/GND) for
reduced noise
N
Equal access and cycle times
– Commercial: 10/12/15/20ns
– Industrial: 10/12/15/20ns
N
One Chip Select plus one Output Enable pin
N
Inputs and outputs are LVTTL-compatible
N
Single 3.3V supply
N
Low power consumption via chip deselect
N
Available in a 32-pin 300- and 400-mil Plastic SOJ, and
32-pin Type II TSOP packages.
Functional Block Diagram
Description
The IDT71V124 is a 1,048,576-bit high-speed static RAMorganized
as 128K x 8. It is fabricated using IDT’s high-performance, high-reliability
CMOS technology. This state-of-the-art technology, combined with inno-
vative circuit design techniques, provides a cost-effective solution for high-
speed memory needs. The JEDEC center power/GND pinout reduces
noise generation and improves systemperformance.
The IDT71V124 has an output enable pin which operates as fast as
5ns, with address access times as fast as 9ns available. All bidirec-
tional inputs and outputs of the IDT71V124 are LVTTL-compatible and
operation is froma single 3.3V supply. Fully static asynchronous
circuitry is used; no clocks or refreshes are required for operation.
ADDRESS
DECODER
1,048,576-BIT
MEMORY ARRAY
I/O CONTROL
A
0
A
16
3873 drw 01
8
8
I/O
0
- I/O
7
8
CONTROL
LOGIC
WE
OE
CS
.
3.3V CMOS Static RAM
1 Meg (128K x 8-Bit)
Center Power &
Ground Pinout
IDT71V124SA
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IDT71V124SA20PH 3.3V CMOS Static RAM 1 Meg (128K x 8-Bit) Center Power & Ground Pinout
IDT71V124SA20PHI 3.3V CMOS Static RAM 1 Meg (128K x 8-Bit) Center Power & Ground Pinout
IDT71V124SA20TY 3.3V CMOS Static RAM 1 Meg (128K x 8-Bit) Center Power & Ground Pinout
IDT71V124SA20TYI 3.3V CMOS Static RAM 1 Meg (128K x 8-Bit) Center Power & Ground Pinout
IDT71V124SA20Y 3.3V CMOS Static RAM 1 Meg (128K x 8-Bit) Center Power & Ground Pinout
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IDT71V124SA20PH 功能描述:IC SRAM 1MBIT 20NS 32TSOP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 05/Nov/2008 標(biāo)準(zhǔn)包裝:84 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步 ZBT 存儲容量:4.5M(128K x 36) 速度:75ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.135 V ~ 3.465 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:119-BGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:119-PBGA(14x22) 包裝:托盤 其它名稱:71V3557SA75BGI
IDT71V124SA20PH8 功能描述:IC SRAM 1MBIT 20NS 32TSOP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 05/Nov/2008 標(biāo)準(zhǔn)包裝:84 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步 ZBT 存儲容量:4.5M(128K x 36) 速度:75ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.135 V ~ 3.465 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:119-BGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:119-PBGA(14x22) 包裝:托盤 其它名稱:71V3557SA75BGI
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