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參數資料
型號: IDT71V30S35TFI
廠商: Integrated Device Technology, Inc.
英文描述: HIGH-SPEED 3.3V 1K X 8 DUAL-PORT STATIC RAM
中文描述: 高速3.3每1000 × 8雙端口靜態RAM
文件頁數: 1/24頁
文件大小: 741K
代理商: IDT71V30S35TFI
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相關PDF資料
PDF描述
IDT71V30S55TF HIGH-SPEED 3.3V 1K X 8 DUAL-PORT STATIC RAM
IDT71V30S55TFI HIGH-SPEED 3.3V 1K X 8 DUAL-PORT STATIC RAM
IDT71V35761YS166BG 128K x 36, 256K x 18 3.3V Synchronous SRAMs 3.3V I/O, Pipelined Outputs Burst Counter, Single Cycle Deselect
IDT71V35781YS166BG 128K x 36, 256K x 18 3.3V Synchronous SRAMs 3.3V I/O, Pipelined Outputs Burst Counter, Single Cycle Deselect
IDT71V35761YS166BGI 128K x 36, 256K x 18 3.3V Synchronous SRAMs 3.3V I/O, Pipelined Outputs Burst Counter, Single Cycle Deselect
相關代理商/技術參數
參數描述
IDT71V30S55TF 功能描述:IC SRAM 8KBIT 55NS 64TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 異步 存儲容量:16M(2M x 8,1M x 16) 速度:45ns 接口:并聯 電源電壓:2.2 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-VFBGA 供應商設備封裝:48-VFBGA(6x8) 包裝:帶卷 (TR)
IDT71V30S55TF8 功能描述:IC SRAM 8KBIT 55NS 64TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 異步 存儲容量:16M(2M x 8,1M x 16) 速度:45ns 接口:并聯 電源電壓:2.2 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-VFBGA 供應商設備封裝:48-VFBGA(6x8) 包裝:帶卷 (TR)
IDT71V30S55TFG 制造商:Integrated Device Technology Inc 功能描述:IC SRAM 8KBIT 55NS 64TQFP
IDT71V30S55TFG8 制造商:Integrated Device Technology Inc 功能描述:IC SRAM 8KBIT 55NS 64TQFP
IDT71V321L25J 功能描述:IC SRAM 16KBIT 25NS 52PLCC RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:72 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步 存儲容量:9M(256K x 36) 速度:75ns 接口:并聯 電源電壓:3.135 V ~ 3.465 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:100-LQFP 供應商設備封裝:100-TQFP(14x14) 包裝:托盤 其它名稱:71V67703S75PFGI
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