型號: | IDT71V35761S166BG |
廠商: | INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC |
元件分類: | DRAM |
英文描述: | Ceramic Conformally Coated / Radial 'Standard & High Voltage Golden Max'; Capacitance [nom]: 82pF; Working Voltage (Vdc)[max]: 1000V; Capacitance Tolerance: +/-10%; Dielectric: Multilayer Ceramic, Conformally Coated; Temperature Coefficient: X7R; Lead Style: Radial Leaded; Lead Dimensions: 0.200" Lead Spacing; Body Dimensions: 0.300" x 0.390" x 0.200"; Container: Bag; Qty per Container: 250 |
中文描述: | 128K X 36 CACHE SRAM, 3.5 ns, PBGA119 |
封裝: | BGA-119 |
文件頁數(shù): | 1/24頁 |
文件大小: | 741K |
代理商: | IDT71V35761S166BG |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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相關代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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IDT71V35761S166BG8 | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 166MHZ 119BGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 異步 存儲容量:16M(2M x 8,1M x 16) 速度:45ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.2 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-VFBGA 供應商設備封裝:48-VFBGA(6x8) 包裝:帶卷 (TR) |
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IDT71V35761S166BGGI8 | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 166MHZ 119BGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 異步 存儲容量:16M(2M x 8,1M x 16) 速度:45ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.2 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-VFBGA 供應商設備封裝:48-VFBGA(6x8) 包裝:帶卷 (TR) |