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參數(shù)資料
| 型號： | IDT71V35761S183BQI |
| 廠商： | INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | RECTIFIER FAST-RECOVERY SINGLE 3A 600V 150A-ifsm 1.7V-vf 75ns 5uA-ir DO-201AD 5K/REEL-13 |
| 中文描述： | 128K X 36 CACHE SRAM, 3.3 ns, PBGA165 |
| 封裝： | FBGA-165 |
| 文件頁數(shù)： | 1/24頁 |
| 文件大小： | 741K |
| 代理商： | IDT71V35761S183BQI |
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相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IDT71V35781S183BQI | RECTIFIER FAST-RECOVERY SINGLE 3A 800V 150A-ifsm 1.7V-vf 75ns 5uA-ir DO-201AD 1K/BULK |
| IDT71V35781YS183BQI | RECTIFIER FAST-RECOVERY SINGLE 3A 800V 150A-ifsm 1.7V-vf 75ns 5uA-ir DO-201AD 5K/REEL-13 |
| IDT71V35761SA183BQI | RECTIFIER FAST-RECOVERY SINGLE 3A 1000V 150A-ifsm 1.7V-vf 75ns 5uA-ir DO-201AD 1K/BULK |
| IDT71V35781SA183BQI | RECTIFIER FAST-RECOVERY SINGLE 3A 1000V 150A-ifsm 1.7V-vf 75ns 5uA-ir DO-201AD 5K/REEL-13 |
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相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| IDT71V35761S183PF8 | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 183MHZ 100TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:576 系列:- 格式 - 存儲器:閃存 存儲器類型:閃存 - NAND 存儲容量:512M（64M x 8） 速度:- 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬） 供應商設備封裝:48-TSOP 包裝:托盤 其它名稱:497-5040 |
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