- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄353757 > IDT71V35761SA200BGI (Integrated Device Technology, Inc.) 128K x 36, 256K x 18 3.3V Synchronous SRAMs 3.3V I/O, Pipelined Outputs Burst Counter, Single Cycle Deselect PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | IDT71V35761SA200BGI |
| 廠商： | Integrated Device Technology, Inc. |
| 元件分類： | 通用總線功能 |
| 英文描述： | 128K x 36, 256K x 18 3.3V Synchronous SRAMs 3.3V I/O, Pipelined Outputs Burst Counter, Single Cycle Deselect |
| 中文描述： | 128K的× 36，256 × 18 3.3同步SRAM的3.3V的I / O的輸出脈沖計數(shù)器流水線，單周期取消 |
| 文件頁數(shù)： | 1/24頁 |
| 文件大小： | 741K |
| 代理商： | IDT71V35761SA200BGI |
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相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IDT71V35761SA200BQ | 128K x 36, 256K x 18 3.3V Synchronous SRAMs 3.3V I/O, Pipelined Outputs Burst Counter, Single Cycle Deselect |
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| IDT71V35781S200BQ | 128K x 36, 256K x 18 3.3V Synchronous SRAMs 3.3V I/O, Pipelined Outputs Burst Counter, Single Cycle Deselect |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| IDT71V35761SA200BQG | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 200MHZ 165FBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 異步 存儲容量:16M（2M x 8，1M x 16） 速度:45ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.2 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-VFBGA（6x8） 包裝:帶卷 (TR) |
| IDT71V35761SA200BQG8 | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 200MHZ 165FBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:72 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步 存儲容量:4.5M（256K x 18） 速度:133MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.135 V ~ 3.465 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:100-LQFP 供應(yīng)商設(shè)備封裝:100-TQFP（14x20） 包裝:托盤 |
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