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參數資料
| 型號： | IDT71V35761YSA183BG |
| 廠商： | INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | CHOKE COIL 1000UH 410MA SMD |
| 中文描述： | 128K X 36 CACHE SRAM, 3.3 ns, PBGA119 |
| 封裝： | BGA-119 |
| 文件頁數： | 1/24頁 |
| 文件大小： | 741K |
| 代理商： | IDT71V35761YSA183BG |
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相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IDT71V35761S183BGI | CHOKE COIL 12UH 3700MA SMD |
| IDT71V35761SA183BGI | CHOKE COIL 15UH 3100MA SMD |
| IDT71V35781SA183BGI | CHOKE COIL 18UH 3000MA SMD |
| IDT71V35761YSA183BGI | CHOKE COIL 180UH 930MA SMD |
| IDT71V35781YSA183BGI | CHOKE COIL 22UH 2700MA SMD |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
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| IDT71V35761YSA183BGG | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 183MHZ 119BGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 異步 存儲容量:16M（2M x 8，1M x 16） 速度:45ns 接口:并聯 電源電壓:2.2 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-VFBGA 供應商設備封裝:48-VFBGA（6x8） 包裝:帶卷 (TR) |
| IDT71V35761YSA183BGG8 | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 183MHZ 119BGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 異步 存儲容量:16M（2M x 8，1M x 16） 速度:45ns 接口:并聯 電源電壓:2.2 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-VFBGA 供應商設備封裝:48-VFBGA（6x8） 包裝:帶卷 (TR) |
| IDT71V35761YSA183BGI | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 183MHZ 119BGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 異步 存儲容量:16M（2M x 8，1M x 16） 速度:45ns 接口:并聯 電源電壓:2.2 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-VFBGA 供應商設備封裝:48-VFBGA（6x8） 包裝:帶卷 (TR) |
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