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參數資料
| 型號： | IDT71V35781YS200BG |
| 廠商： | INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | CABLE, COAX, RG58, LSF, BLACK, 500M; Attenuation, 1 GHz:50.0dB; Attenuation, 10 MHz:4.5dB; Attenuation, 200 MHz:22.0dB; Attenuation, 400MHz:32.0dB; Capacitance:100pF/m; Conductor make-up:19/0.18 mm; Diameter, External:4.95mm; RoHS Compliant: Yes |
| 中文描述： | 256K X 18 CACHE SRAM, 3.1 ns, PBGA119 |
| 封裝： | BGA-119 |
| 文件頁數： | 1/24頁 |
| 文件大?。?/td> | 741K |
| 代理商： | IDT71V35781YS200BG |
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相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IDT71V35761YS200BGI | CABLE, COAX, RG5900, WHITE, 100M; Attenuation, 1 GHz:42.9dB; Attenuation, 100 MHz:11.6dB; Attenuation, 400MHz:25.0dB; Attenuation, 5.0 MHz:2.9dB; Attenuation, 50 MHz:8.0dB; Capacitance:67pF/m; Colour, primary insulation:White; RoHS Compliant: Yes |
| IDT71V35781YS200BGI | CABLE, COAX, RG5900, WHITE, 500M; Length, Reel (Imperial):1640.4ft; Attenuation, 1 GHz:42.9dB; Attenuation, 100 MHz:11.6dB; Attenuation, 400MHz:25.0dB; Attenuation, 5.0 MHz:2.9dB; Attenuation, 50 MHz:8.0dB; Capacitance:67pF/m; RoHS Compliant: Yes |
| IDT71V35761YS200BQ | CABLE, COAX, RG5900, BLACK, 500M; Length, Reel (Imperial):1640.4ft; Attenuation, 1 GHz:42.9dB; Attenuation, 100 MHz:11.6dB; Attenuation, 400MHz:25.0dB; Attenuation, 5.0 MHz:2.9dB; Attenuation, 50 MHz:8.0dB; Capacitance:67pF/m; RoHS Compliant: Yes |
| IDT71V35781YS200BQ | CABLE, COAX, TWIN, BLACK, COMP, 100M; Length, Reel (Imperial):328ft; Attenuation, 1 GHz:42.9dB; Attenuation, 100 MHz:11.6dB; Attenuation, 300 MHz:21.2dB; Attenuation, 400MHz:25.0dB; Attenuation, 5.0 MHz:2.9dB; Attenuation, 50 RoHS Compliant: Yes |
| IDT71V35761YS200BQI | CABLE, COAX, RG59, LSF, BLACK, 100M; Length, Reel (Imperial):328ft; Attenuation, 1 GHz:42.9dB; Attenuation, 100 MHz:11.6dB; Attenuation, 400MHz:25.0dB; Attenuation, 5.0 MHz:2.9dB; Attenuation, 50 MHz:8.0dB; Capacitance:67pF/m; RoHS Compliant: Yes |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| IDT71V3578S133PF | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 133MHZ 100TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:576 系列:- 格式 - 存儲器:閃存 存儲器類型:閃存 - NAND 存儲容量:512M（64M x 8） 速度:- 接口:并聯 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬） 供應商設備封裝:48-TSOP 包裝:托盤 其它名稱:497-5040 |
| IDT71V3578S133PF8 | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 133MHZ 100TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:576 系列:- 格式 - 存儲器:閃存 存儲器類型:閃存 - NAND 存儲容量:512M（64M x 8） 速度:- 接口:并聯 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬） 供應商設備封裝:48-TSOP 包裝:托盤 其它名稱:497-5040 |
| IDT71V3578S133PFG | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 133MHZ 100TQFP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:3,000 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:32K (4K x 8) 速度:100kHz，400kHz 接口:I²C，2 線串口 電源電壓:2.5 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 125°C 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應商設備封裝:8-SOIC 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:CAV24C32WE-GT3OSTR |
| IDT71V3578S133PFG8 | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 133MHZ 100TQFP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:72 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步 存儲容量:4.5M（256K x 18） 速度:133MHz 接口:并聯 電源電壓:3.135 V ~ 3.465 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:100-LQFP 供應商設備封裝:100-TQFP（14x20） 包裝:托盤 |
| IDT71V3578S133PFGI | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 133MHZ 100TQFP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 異步 存儲容量:16M（2M x 8，1M x 16） 速度:45ns 接口:并聯 電源電壓:2.2 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-VFBGA 供應商設備封裝:48-VFBGA（6x8） 包裝:帶卷 (TR) |
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