型號(hào): | IDT71V35781YSA166BGI |
廠商: | INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC |
元件分類: | DRAM |
英文描述: | Flat / Ribbon Cable; Number of Conductors:16; Pitch Spacing:0.05"; Conductor Size AWG:28; No. Strands x Strand Size:7 x 36; Jacket Material:Polyvinylchloride (PVC); Leaded Process Compatible:Yes RoHS Compliant: Yes |
中文描述: | 256K X 18 CACHE SRAM, 3.5 ns, PBGA119 |
封裝: | BGA-119 |
文件頁(yè)數(shù): | 1/24頁(yè) |
文件大小: | 741K |
代理商: | IDT71V35781YSA166BGI |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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IDT71V35761YSA166BQ | Flat / Ribbon Cable; Number of Conductors:16; Pitch Spacing:0.05"; Conductor Size AWG:28; No. Strands x Strand Size:7 x 36; Jacket Material:Polyvinylchloride (PVC); Leaded Process Compatible:Yes RoHS Compliant: Yes |
IDT71V35781YSA166BQ | Flat / Ribbon Cable; Number of Conductors:20; Pitch Spacing:0.05"; Conductor Size AWG:28; No. Strands x Strand Size:7 x 36; Conductor Material:Copper; Jacket Color:Gray; Jacket Material:Polyvinylchloride (PVC) RoHS Compliant: Yes |
IDT71V35781YS200PF | CABLE, COAX, BLACK, 4.15MM, 500M; Length, Reel (Imperial):1640.4ft; Attenuation, 1 GHz:33dB; Attenuation, 10 MHz:4dB; Attenuation, 200 MHz:14dB; Attenuation, 400MHz:20dB; Capacitance:54pF/m; Diameter, External:4.15mm; Impedance:75R; RoHS Compliant: Yes |
IDT71V35761YS200PFI | 128K x 36, 256K x 18 3.3V Synchronous SRAMs 3.3V I/O, Pipelined Outputs Burst Counter, Single Cycle Deselect |
IDT71V35781YS200PFI | 128K x 36, 256K x 18 3.3V Synchronous SRAMs 3.3V I/O, Pipelined Outputs Burst Counter, Single Cycle Deselect |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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IDT71V3578S133PF | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 133MHZ 100TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:576 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:閃存 存儲(chǔ)器類型:閃存 - NAND 存儲(chǔ)容量:512M(64M x 8) 速度:- 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-TFSOP(0.724",18.40mm 寬) 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-TSOP 包裝:托盤 其它名稱:497-5040 |
IDT71V3578S133PF8 | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 133MHZ 100TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:576 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:閃存 存儲(chǔ)器類型:閃存 - NAND 存儲(chǔ)容量:512M(64M x 8) 速度:- 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-TFSOP(0.724",18.40mm 寬) 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-TSOP 包裝:托盤 其它名稱:497-5040 |
IDT71V3578S133PFG | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 133MHZ 100TQFP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:EEPROMs - 串行 存儲(chǔ)器類型:EEPROM 存儲(chǔ)容量:32K (4K x 8) 速度:100kHz,400kHz 接口:I²C,2 線串口 電源電壓:2.5 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 125°C 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-SOIC 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:CAV24C32WE-GT3OSTR |
IDT71V3578S133PFG8 | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 133MHZ 100TQFP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:72 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 同步 存儲(chǔ)容量:4.5M(256K x 18) 速度:133MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.135 V ~ 3.465 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:100-LQFP 供應(yīng)商設(shè)備封裝:100-TQFP(14x20) 包裝:托盤 |
IDT71V3578S133PFGI | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 133MHZ 100TQFP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 異步 存儲(chǔ)容量:16M(2M x 8,1M x 16) 速度:45ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.2 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-VFBGA(6x8) 包裝:帶卷 (TR) |