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參數(shù)資料
| 型號： | IDT71V65602S-150BG |
| 廠商： | Integrated Device Technology, Inc. |
| 元件分類： | 通用總線功能 |
| 英文描述： | 256K x 36, 512K x 18 3.3V Synchronous ZBT SRAMs 2.5V I/O, Burst Counter Pipelined Outputs |
| 中文描述： | 256K × 36，512K采樣× 18 3.3同步ZBT SRAM的2.5VI / O的脈沖計數(shù)器輸出流水線 |
| 文件頁數(shù)： | 1/24頁 |
| 文件大?。?/td> | 741K |
| 代理商： | IDT71V65602S-150BG |
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相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IDT71V65802S-150BG | 256K x 36, 512K x 18 3.3V Synchronous ZBT SRAMs 2.5V I/O, Burst Counter Pipelined Outputs |
| IDT71V65602S-150BGI | 256K x 36, 512K x 18 3.3V Synchronous ZBT SRAMs 2.5V I/O, Burst Counter Pipelined Outputs |
| IDT70T631S10DDI | HIGH-SPEED 2.5V 512/256K x 18 ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V 0R 2.5V INTERFACE |
| IDT70T633S10DDI | HIGH-SPEED 2.5V 512/256K x 18 ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V 0R 2.5V INTERFACE |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| IDT71V65602S150PFG | 功能描述:IC SRAM 9MBIT 150MHZ 100TQFP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:576 系列:- 格式 - 存儲器:閃存 存儲器類型:閃存 - NAND 存儲容量:512M（64M x 8） 速度:- 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-TSOP 包裝:托盤 其它名稱:497-5040 |
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