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參數(shù)資料
型號(hào)： IDT71V65602S150BQ
廠商： INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC
元件分類(lèi)： DRAM
英文描述： 256K x 36, 512K x 18 3.3V Synchronous ZBT SRAMs 2.5V I/O, Burst Counter Pipelined Outputs
中文描述： 256K X 36 ZBT SRAM, 3.8 ns, PBGA165
封裝： 13 X 15 MM, FPBGA-165
文件頁(yè)數(shù)： 1/24頁(yè)
文件大小： 741K
代理商： IDT71V65602S150BQ
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相關(guān)PDF資料
PDF描述
IDT71V65602S150BQI 256K x 36, 512K x 18 3.3V Synchronous ZBT SRAMs 2.5V I/O, Burst Counter Pipelined Outputs
IDT71V65602S150PF 256K x 36, 512K x 18 3.3V Synchronous ZBT SRAMs 2.5V I/O, Burst Counter Pipelined Outputs
IDT71V65602S150PFI 256K x 36, 512K x 18 3.3V Synchronous ZBT SRAMs 2.5V I/O, Burst Counter Pipelined Outputs
IDT71V65603 256K x 36, 512K x 18 3.3V Synchronous ZBT SRAMs
IDT71V65603S133BG 256K x 36, 512K x 18 3.3V Synchronous ZBT SRAMs
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IDT71V65602S150PF 功能描述:IC SRAM 9MBIT 150MHZ 100TQFP RoHS:否 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:576 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:閃存 存儲(chǔ)器類(lèi)型:閃存 - NAND 存儲(chǔ)容量:512M（64M x 8） 速度:- 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-TSOP 包裝:托盤(pán) 其它名稱:497-5040
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IDT71V65602S150PFGI 功能描述:IC SRAM 9MBIT 150MHZ 100TQFP RoHS:是 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:576 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:閃存 存儲(chǔ)器類(lèi)型:閃存 - NAND 存儲(chǔ)容量:512M（64M x 8） 速度:- 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-TSOP 包裝:托盤(pán) 其它名稱:497-5040
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