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參數(shù)資料
型號: IDT71V65703S75BQI
廠商: INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC
元件分類: DRAM
英文描述: 256K x 36, 512K x 18 3.3V Synchronous ZBT SRAMs
中文描述: 256K X 36 ZBT SRAM, 7.5 ns, PBGA165
封裝: 13 X 15 MM, FPBGA-165
文件頁數(shù): 1/24頁
文件大小: 741K
代理商: IDT71V65703S75BQI
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相關(guān)PDF資料
PDF描述
IDT71V65703S75PF 256K x 36, 512K x 18 3.3V Synchronous ZBT SRAMs
IDT74ALVC74H16374PA 3.3V CMOS 16-BIT EDGE- TRIGGERED D-TYPE
IDT74ALVC74H16374PF 3.3V CMOS 16-BIT EDGE- TRIGGERED D-TYPE
IDT74ALVC74H16374PV 3.3V CMOS 16-BIT EDGE- TRIGGERED D-TYPE
IDT74FCT20807QI 2.5V CMOS 1-TO-10 CLOCK DRIVER
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參數(shù)描述
IDT71V65703S75PF 功能描述:IC SRAM 9MBIT 75NS 100TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:576 系列:- 格式 - 存儲器:閃存 存儲器類型:閃存 - NAND 存儲容量:512M(64M x 8) 速度:- 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-TFSOP(0.724",18.40mm 寬) 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-TSOP 包裝:托盤 其它名稱:497-5040
IDT71V65703S75PF8 功能描述:IC SRAM 9MBIT 75NS 100TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:576 系列:- 格式 - 存儲器:閃存 存儲器類型:閃存 - NAND 存儲容量:512M(64M x 8) 速度:- 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-TFSOP(0.724",18.40mm 寬) 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-TSOP 包裝:托盤 其它名稱:497-5040
IDT71V65703S75PFG 功能描述:IC SRAM 9MBIT 7.5NS 100TQFP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,500 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:1K (128 x 8) 速度:100kHz 接口:UNI/O?(單線) 電源電壓:1.8 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-TSSOP,8-MSOP(0.118",3.00mm 寬) 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-MSOP 包裝:帶卷 (TR)
IDT71V65703S75PFG8 功能描述:IC SRAM 9MBIT 75NS 100TQFP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 異步 存儲容量:16M(2M x 8,1M x 16) 速度:45ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.2 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-VFBGA(6x8) 包裝:帶卷 (TR)
IDT71V65703S75PFGI 功能描述:IC SRAM 9MBIT 75NS 100TQFP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:72 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步 存儲容量:9M(256K x 36) 速度:75ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.135 V ~ 3.465 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:100-LQFP 供應(yīng)商設(shè)備封裝:100-TQFP(14x14) 包裝:托盤 其它名稱:71V67703S75PFGI
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