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參數資料
| 型號： | IMB1 |
| 英文描述： | TRANSISTOR | SO |
| 中文描述： | 晶體管|蘇 |
| 文件頁數： | 1/2頁 |
| 文件大小： | 146K |
| 代理商： | IMB1 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IMB2 | TRANSISTOR | SO |
| IMB3 | TRANSISTOR | SO |
| IMB4 | TRANSISTOR | SO |
| IMB5 | TRANSISTOR | SO |
| IMB6A | TRANSISTOR | 50V V(BR)CEO | 30MA I(C) | SO |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| IMB10 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | 50V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SO |
| IMB100 | 制造商:AXIOMTEK 制造商全稱:AXIOMTEK 功能描述:2 DDR2-533/667/800 DIMM support up to 2GB |
| IMB100VGGA | 制造商:Axiomtek Co Ltd 功能描述:LGA775 + Q965 + ICH8 WITH CRT/DUAL GE/AUDIO/1394A - Bulk |
| IMB10A | 制造商:ROHM 功能描述:LEAK ABSORB PNPx2 SMD (Surface Mount) Transistor SMT5 / 6 300mW 制造商:ROHM 功能描述:LEAK ABSORB PNPx2 SMD (Surface Mount) Transistor SMT5 / 6 300mW - free partial T/R at 500. |
| IMB10AT110 | 功能描述:開關晶體管 - 偏壓電阻器 DUAL PNP 50V 100MA SOT-457 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel |
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