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參數資料
| 型號： | IMD9 |
| 英文描述： | TRANSISTOR | 50V V(BR)CEO | 70MA I(C) | SO |
| 中文描述： | 晶體管| 50V五（巴西）總裁|提供70mA一（c）|蘇 |
| 文件頁數： | 1/3頁 |
| 文件大小： | 184K |
| 代理商： | IMD9 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IMH10 | TRANSISTOR | 50V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SO |
| IMH11 | TRANSISTOR | 50V V(BR)CEO | 50MA I(C) | SO |
| IMH14 | TRANSISTOR | 50V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SO |
| IMH15 | TRANSISTOR | 50V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SO |
| IMH9 | TRANSISTOR | 50V V(BR)CEO | 70MA I(C) | SO |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| IMD9A | 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:LEAK ABSORB PNP+NPN SM DIGITAL TRANSISTOR SMT5 / 6 - free partial T/R at 500. |
| IMD9AT108 | 功能描述:開關晶體管 - 偏壓電阻器 PNP/NPN 50V 100MA SOT-457 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel |
| IMD-FL01W | 制造商:Murata Manufacturing Co Ltd 功能描述:PYROELECTRIC INFRARED SENSOR - Bulk |
| IME01GR | 制造商:TE Connectivity 功能描述: |
| IME01TS | 制造商:TE Connectivity 功能描述: |
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