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參數資料
| 型號： | IMH2 |
| 英文描述： | TRANSISTOR | SO |
| 中文描述： | 晶體管|蘇 |
| 文件頁數： | 1/2頁 |
| 文件大小： | 146K |
| 代理商： | IMH2 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IMH3 | TRANSISTOR | SO |
| IMH4 | TRANSISTOR | SO |
| IMH5 | TRANSISTOR | SO |
| IMH6 | TRANSISTOR | SO |
| IMH8 | TRANSISTOR | SO |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| IMH20 | 制造商:ROHM 制造商全稱:Rohm 功能描述:General purpose (dual digital transistors) |
| IMH20T1G | 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:Dual Bias Resistor Transistor |
| IMH20T1GT1 | 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:Dual Bias Resistor Transistor |
| IMH20TR1 | 功能描述:TRANS NPN DUAL BIAS 500MA SC74-6 RoHS:否 類別:分離式半導體產品 >> 晶體管(BJT) - 陣列﹐預偏壓式 系列:- 標準包裝:3,000 系列:- 晶體管類型:1 個 NPN，1 個 PNP - 預偏壓式（雙） 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:70mA，100mA 電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）:50V 電阻器 - 基極 (R1)（歐）:47k，2.2k 電阻器 - 發射極 (R2)（歐）:47k 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):70 @ 5mA，5V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:300mV @ 500µA，10mA 電流 - 集電極截止（最大）:- 頻率 - 轉換:100MHz，200MHz 功率 - 最大:250mW 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供應商設備封裝:PG-SOT363-6 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:SP000784046 |
| IMH20TR1G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 500mA 50V Digital NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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