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參數資料
| 型號： | IMZ3 |
| 英文描述： | TRANSISTOR | BJT | PAIR | COMPLEMENTARY | 50V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SO |
| 中文描述： | 晶體管|晶體管|一對|互補| 50V五（巴西）總裁| 100mA的一（c）|蘇 |
| 文件頁數： | 1/3頁 |
| 文件大小： | 146K |
| 代理商： | IMZ3 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IN4148-1 | LED Mount; Bulb Size:T-1; LED Color:Yellow; Luminous Intensity:20mcd; Viewing Angle:45 ; Forward Current:30mA; Forward Voltage:2.1V; Operating Temperature Range:-40 C to +85 C; Leaded Process Compatible:Yes RoHS Compliant: Yes |
| IN4148 | IC/53C318165 D 1MW 70 MP U9S |
| IN80C31BH | 8-BIT MICROCONTROLLER |
| 80C31X2 | 80C51 8-bit microcontroller family 4K/8K/16K/32K ROM/OTP 128B/256B RAM low voltage 2.7 to 5.5 V, low power, high speed 30/33 MHz |
| 80C31 | CMOS single-chip 8-bit microcontrollers |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| IMZ4 | 制造商:ROHM 制造商全稱:Rohm 功能描述:General purpose transistor (dual transistors) |
| IMZ4FRAT108 | 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述: |
| IMZ4T108 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN/PNP 32V 500MA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| IMZ88 | 制造商:UTC-IC 制造商全稱:UTC-IC 功能描述:GENERAL PURPOSE DUAL TRANSISTOR) |
| IMZ88_11 | 制造商:UTC-IC 制造商全稱:UTC-IC 功能描述:GENERAL PURPOSE DUAL TRANSISTOR) |
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