- 您現在的位置：買賣IC網 > PDF目錄383110 > IPB03N03LAG (INFINEON TECHNOLOGIES AG) OptiMOS㈢2 Power-Transistor PDF資料下載
參數資料
| 型號： | IPB03N03LAG |
| 廠商： | INFINEON TECHNOLOGIES AG |
| 英文描述： | OptiMOS㈢2 Power-Transistor |
| 中文描述： | 的OptiMOS㈢2功率晶體管 |
| 文件頁數： | 1/9頁 |
| 文件大小： | 300K |
| 代理商： | IPB03N03LAG |
IPB03N03LA G
Opti
MOS
2 Power-Transistor
Features
Ideal for high-frequency dc/dc converters
Qualified according to JEDEC
1)
for target applications
N-channel - Logic level
Excellent gate charge x
R
DS(on)
product (FOM)
Very low on-resistance
R
DS(on)
Superior thermal resistance
175 °C operating temperature
d
v
/d
t
rated
Pb-free lead plating; RoHS compliant
Maximum ratings,
at
T
j
=25 °C, unless otherwise specified
Parameter
Symbol Conditions
Unit
Continuous drain current
I
D
T
C
=25 °C
2)
80
A
T
C
=100 °C
80
Pulsed drain current
I
D,pulse
T
C
=25 °C
3)
385
Avalanche energy, single pulse
E
AS
I
D
=80 A,
R
GS
=25
960
mJ
Reverse diode d
v
/d
t
d
v
/d
t
I
D
=80 A,
V
DS
=20 V,
d
i
/d
t
=200 A/μs,
T
j,max
=175 °C
6
kV/μs
Gate source voltage
4)
V
GS
±20
V
Power dissipation
P
tot
T
C
=25 °C
150
W
Operating and storage temperature
T
j
,
T
stg
-55 ... 175
°C
IEC climatic category; DIN IEC 68-1
55/175/56
1)
J-STD20 and JESD22
Value
V
DS
25
V
R
DS(on),max
(SMD version)
2.7
m
I
D
80
A
Product Summary
PG-TO263-3-2
Type
Package
Marking
IPB03N03LA G
PG-TO263-3-2
03N03LA
Rev. 1.6
page 1
2006-05-10
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IPB03N03LA | OptiMOS 2 Power-Transistor |
| IPP03N03LA | OptiMOS 2 Power-Transistor |
| IPB03N03LB | OptiMOS㈢2 Power-Transistor |
| IPB048N06L | OptiMOS㈢ Power-Transistor |
| IPB048N06LG | OptiMOS㈢ Power-Transistor |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| IPB03N03LAGXT | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 25V 80A 3-Pin(2+Tab) TO-263 |
| IPB03N03LB | 功能描述:MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK RoHS:否 類別:分離式半導體產品 >> FET - 單 系列:OptiMOS™ 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C:18A 開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| IPB03N03LB G | 功能描述:MOSFET N-CH 30V 80A TO-263 RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> FET - 單 系列:OptiMOS™ 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C:18A 開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| IPB03N03LBG | 功能描述:MOSFET N-Channel MOSFET 20-200V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IPB03N03LBGXT | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 30V 80A 3-Pin(2+Tab) TO-263 |
發布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。