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參數資料
| 型號： | IPB08CN10NG |
| 廠商： | INFINEON TECHNOLOGIES AG |
| 英文描述： | OptiMOS㈢2 Power-Transistor |
| 中文描述： | 的OptiMOS㈢2功率晶體管 |
| 文件頁數： | 1/11頁 |
| 文件大小： | 526K |
| 代理商： | IPB08CN10NG |
IPB08CN10N G
IPI08CN10N G IPP08CN10N G
Opti
MOS
2 Power-Transistor
Features
N-channel, normal level
Excellent gate charge x
R
DS(on)
product (FOM)
Very low on-resistance
R
DS(on)
175 °C operating temperature
Pb-free lead plating; RoHS compliant
Qualified according to JEDEC
1)
for target application
Ideal for high-frequency switching and synchronous rectification
Maximum ratings,
at
T
j
=25 °C, unless otherwise specified
Parameter
Symbol Conditions
Unit
Continuous drain current
I
D
T
C
=25 °C
95
A
T
C
=100 °C
68
Pulsed drain current
2)
I
D,pulse
T
C
=25 °C
380
Avalanche energy, single pulse
E
AS
I
D
=95 A,
R
GS
=25
262
mJ
Reverse diode d
v
/d
t
d
v
/d
t
I
D
=95 A,
V
DS
=80 V,
d
i
/d
t
=100 A/μs,
T
j,max
=175 °C
6
kV/μs
Gate source voltage
3)
V
GS
±20
V
Power dissipation
P
tot
T
C
=25 °C
167
W
Operating and storage temperature
T
j
,
T
stg
-55 ... 175
°C
IEC climatic category; DIN IEC 68-1
55/175/56
Value
V
DS
100
V
R
DS(on),max (TO263)
8.2
m
I
D
95
A
Product Summary
Type
IPB08CN10N G
IPI08CN10N G
IPP08CN10N G
Package
PG-TO263-3
PG-TO262-3
PG-TO220-3
Marking
08CN10N
08CN10N
08CN10N
Rev. 1.02
page 1
2006-06-02
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IPI08CN10NG | OptiMOS㈢2 Power-Transistor |
| IPB08CNE8NG | OptiMOS㈢2 Power-Transistor |
| IPI08CNE8NG | OptiMOS㈢2 Power-Transistor |
| IPB09N03LAG | OptiMOS㈢2 Power-Transistor |
| IPB09N03LA | OptiMOS 2 Power-Transistor |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| IPB08CN10NG_10 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:OptiMOS?2 Power-Transistor Features Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM) |
| IPB08CN10NGXT | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 100V 95A 3-Pin(2+Tab) TO-263 |
| IPB08CNE8N G | 功能描述:MOSFET OptiMOS 2 PWR TRANST 85V 95A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IPB08CNE8NG | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:OptiMOS㈢2 Power-Transistor |
| IPB08CNE8NGXT | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 85V 95A 3-Pin(2+Tab) TO-263 |
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