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參數資料
| 型號： | IPB100N08S2-07 |
| 廠商： | INFINEON TECHNOLOGIES AG |
| 英文描述： | OptiMOS㈢ Power-Transistor |
| 中文描述： | 的OptiMOS㈢功率晶體管 |
| 文件頁數： | 1/8頁 |
| 文件大小： | 168K |
| 代理商： | IPB100N08S2-07 |
IPB100N08S2-07
IPP100N08S2-07, IPI100N08S2-07
Opti
MOS
Power-Transistor
Features
N-channel - Enhancement mode
Automotive AEC Q101 qualified
MSL1 up to 260°C peak reflow
175°C operating temperature
Green package (lead free)
Ultra low Rds(on)
100% Avalanche tested
Maximum ratings,
at
T
j
=25 °C, unless otherwise specified
Parameter
Symbol
Conditions
Unit
Continuous drain current
1)
I
D
T
C
=25 °C,
V
GS
=10 V
100
A
T
C
=100 °C,
V
GS
=10 V
2)
94
Pulsed drain current
2)
I
D,pulse
T
C
=25 °C
400
Avalanche energy, single pulse
2)
E
AS
I
D
= 80 A
810
mJ
Gate source voltage
4)
V
GS
±20
V
Power dissipation
P
tot
T
C
=25 °C
300
W
Operating and storage temperature
T
j
,
T
stg
-55 ... +175
°C
IEC climatic category; DIN IEC 68-1
55/175/56
Value
V
DS
75
V
R
DS(on),max
(SMD version)
6.8
m
I
D
100
A
Product Summary
PG-TO220-3-1
PG-TO262-3-1
PG-TO263-3-2
Type
Package
Ordering Code
Marking
IPB100N08S2-07
PG-TO263-3-2
SP0002-19044
PN0807
IPP100N08S2-07
PG-TO220-3-1
SP0002-19005
PN0807
IPI100N08S2-07
PG-TO262-3-1
SP0002-19041
PN0807
Rev. 1.0
page 1
2006-03-03
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IPI100N08S2-07 | OptiMOS㈢ Power-Transistor |
| IPB100N08S2L-07 | OptiMOS㈢ Power-Transistor |
| IPB12CN10NG | OptiMOS㈢2 Power-Transistor |
| IPD12CN10NG | OptiMOS㈢2 Power-Transistor |
| IPI12CN10NG | OptiMOS㈢2 Power-Transistor |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| IPB100N08S207ATMA1 | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 75V 100A 3-Pin(2+Tab) TO-263 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET - Tape and Reel 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET N-CH 75V 100A TO263-3 |
| IPB100N08S2L07 | 功能描述:MOSFET MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IPB100N08S2L-07 | 功能描述:MOSFET OptiMOS PWR TRANS 75V 100A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IPB100N08S2L07ATMA1 | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 75V 100A 3-Pin(2+Tab) TO-263 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET - Tape and Reel 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET N-CH 75V 100A TO263-3 |
| IPB100N10S3-05 | 功能描述:MOSFET OptiMOS -T PWR TRANS 100V 100A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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