型號: | IPB13N03LB |
廠商: | INFINEON TECHNOLOGIES AG |
英文描述: | OptiMOS㈢2 Power-Transistor |
中文描述: | 的OptiMOS㈢2功率晶體管 |
文件頁數: | 1/9頁 |
文件大小: | 289K |
代理商: | IPB13N03LB |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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IPB14N03LAG | OptiMOS㈢2 Power-Transistor |
IPB160N04S2-03 | OptiMOS㈢ - T Power-Transistor |
IPB160N04S2L-03 | OptiMOS㈢ - T Power-Transistor |
IPB35CN10NG | OptiMOS㈢2 Power-Transistor |
IPD33CN10NG | OptiMOS㈢2 Power-Transistor |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
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IPB13N03LB G | 功能描述:MOSFET N-CH 30V 30A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
IPB13N03LBG | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述: |
IPB13N03LBGXT | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 30V 30A 3-Pin(2+Tab) TO-263 |
IPB144N12N3 G | 功能描述:MOSFET N-Channel 120V MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
IPB144N12N3G | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:120V,56A,N Channel Power MOSFET 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:120V,56A,N-channel power MOSFET |