- 您現在的位置：買賣IC網 > PDF目錄383113 > IPF09N03LBG (INFINEON TECHNOLOGIES AG) OptiMOS㈢2 Power-Transistor PDF資料下載
參數資料
| 型號： | IPF09N03LBG |
| 廠商： | INFINEON TECHNOLOGIES AG |
| 英文描述： | OptiMOS㈢2 Power-Transistor |
| 中文描述： | 的OptiMOS㈢2功率晶體管 |
| 文件頁數： | 1/12頁 |
| 文件大小： | 353K |
| 代理商： | IPF09N03LBG |
IPD09N03LB G IPS09N03LB G
IPU09N03LB G IPF09N03LB G
Opti
MOS
2 Power-Transistor
Features
Ideal for high-frequency dc/dc converters
Qualified according to JEDEC
1)
for target applications
N-channel, logic level
Excellent gate charge x
R
DS(on)
product (FOM)
Superior thermal resistance
175 °C operating temperature
Pb-free lead plating; RoHS compliant
Maximum ratings,
at
T
j
=25 °C, unless otherwise specified
Parameter
Symbol Conditions
Unit
Continuous drain current
I
D
T
C
=25 °C
2)
50
A
T
C
=100 °C
42
Pulsed drain current
I
D,pulse
T
C
=25 °C
3)
200
Avalanche energy, single pulse
E
AS
I
D
=50 A,
R
GS
=25
57
mJ
Reverse diode d
v
/d
t
d
v
/d
t
I
D
=50 A,
V
DS
=20 V,
d
i
/d
t
=200 A/μs,
T
j,max
=175 °C
6
kV/μs
Gate source voltage
4)
V
GS
±20
V
Power dissipation
P
tot
T
C
=25 °C
58
W
Operating and storage temperature
T
j
,
T
stg
-55 ... 175
°C
IEC climatic category; DIN IEC 68-1
55/175/56
Value
V
DS
30
V
R
DS(on),max
9.1
m
I
D
50
A
Product Summary
Type
IPD09N03LB G
IPS09N03LB G
IPF09N03LB G
IPU09N03LB G
Package
PG-TO252-3-11
PG-TO251-3-11
PG-TO252-3-23
PG-TO251-3-1
Ordering Code
Available
On request
On request
On request
Marking
09N03LB
09N03LB
09N03LB
09N03LB
Rev. 1.4
page 1
2006-01-12
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IPF13N03LA | Flat / Ribbon Cable; Number of Conductors:26; Pitch Spacing:0.05"; Conductor Size AWG:28; No. Strands x Strand Size:7 x 36; Jacket Material:Polyvinylchloride (PVC); Approval Bodies:UL, CSA; Capacitance:50pF RoHS Compliant: Yes |
| IPI03N03LA | OptiMOS 2 Power-Transistor |
| IPI04N03LA | OptiMOS 2 Power-Transistor |
| IPP04N03LA | OptiMOS 2 Power-Transistor |
| IPI05N03LA | OptiMOS 2 Power-Transistor |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| IPF105N03LG | 功能描述:MOSFET N-Channel MOSFET 20-200V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IPF10N03LA | 功能描述:MOSFET N-CH 25V 30A DPAK RoHS:否 類別:分離式半導體產品 >> FET - 單 系列:OptiMOS™ 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C:18A 開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| IPF10N03LA G | 功能描述:MOSFET N-CH 25V 30A DPAK RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> FET - 單 系列:OptiMOS™ 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C:18A 開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| IPF10N03LAG | 功能描述:MOSFET N-Channel MOSFET 20-200V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IPF12N03LBG | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:OptiMOS㈢2 Power-Transistor |
發布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。